| 講演名 | 2007-06-16 AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 田中 成明, 住田 行常, 鈴木 寿一, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)に対するAlNを用いた表面パッシベーションの検討を行った. AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるパッシベーション膜形成では,プロセスダメージによるチャネルシート抵抗の増大が観測される.しかしながら,このダメージはその後の窒素雰囲気中アニールで回復できることがわかった.この結果得られたデバイスでは,AlNが厚いほどドレイン電流と相互コンダクタンスが増加し,高い電圧印加時におけるドレイン電流減少が抑制されることがわかった.このことは,AlNが表面パッシベーション効果のみならず,放熱特性の向上をもたらしていることを示している. |
| 抄録(英) | We have investigated AlN surface passivation for AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs). After the formation of passivation films by RF magnetron sputtering using AlN target, increases in the channel sheet resistance due to the process damage are observed. However, this damage can be eliminated by thermal annealing in N_2 ambient. The resultant devices exhibit increases in the drain current and the transconductance, which are more prominent for thicker AlN films. This indicates that the AlN films cause not only the surface passivation effects but also improvements in thermal management. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HFET / AlNパッシベーション / プロセスダメージ |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HFET / AlN passivation / process damage |
| 資料番号 | ED2007-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlNターゲットを用いたRFマグネトロンスパッタによるAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの表面パッシベーション(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface passivation of AlGaN/GaN HFETs by RF magnetron sputtering using AlN target |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN HFET |
| キーワード(2)（和/英） | AlNパッシベーション / AlN passivation |
| キーワード(3)（和/英） | プロセスダメージ / process damage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 成明 / Nariaki TANAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 住田 行常 / Yasunobu SUMIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社パウデック POWDEC K. K. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu SUZUKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2007-06-16 |
| 資料番号 | ED2007-43 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |