| 講演名 | 2007-06-16 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 塩崎 奈々子, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | 光電気化学を用いたGaN表面の酸化プロセスについて検討した。グリコールを用いた中性溶液に浸したGaN表面にUV光を照射しながら電圧を印加し、通電後の表面を化学的・構造的に評価した。XPS測定によりプロセス後のGaN表面には薄いガリウム酸化膜が形成されたことが判明したが、表面のモホロジーや酸化膜厚さは、印加電圧値や通電時間などのプロセス条件により大きく変化した。電圧の印加方法を検討した結果、印加電圧を線形増加させることにより、表面・GaNとの界面が平坦な酸化膜を得ることができた。フォトルミネッセンス測定により、本手法で酸化した部分は未酸化の部分と比較して3倍近く発光強度が増加した。 |
| 抄録(英) | This paper reports the feasibility of oxidation on n-GaN surface using photoelectrochemical process in a mixed solution with glycol solution. The sample was immersed into the mixed solution with tartaric acid and propylene glycol. Then, bias voltage was applied on the surface under UV illumination. The XPS measurement revealed the surface was oxidized to form the gallium oxide. The quality of the surface and layer varied according to the conditions such as processing time and bias voltage. When the combination of the ramp and constant bias form was used as applied voltage, the photoluminescence on the processed surface presented the 3-times increase in intensity. |
| キーワード(和) | GaN / 陽極酸化 / 光電気化学 / 酸化ガリウム |
| キーワード(英) | GaN / anodic oxidation / photoelectrochemical / gallium oxide |
| 資料番号 | ED2007-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Anodic oxidation of n-GaN surface using photoelectrochemical process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 陽極酸化 / anodic oxidation |
| キーワード(3)（和/英） | 光電気化学 / photoelectrochemical |
| キーワード(4)（和/英） | 酸化ガリウム / gallium oxide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩崎 奈々子 / Nanako SHIOZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2007-06-16 |
| 資料番号 | ED2007-42 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |