| 講演名 | 2007-06-16 金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 塩島 謙次, |
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| 抄録(和) | 低Mgドープp-GaN基板を用いて良好なショットキー接触を実現し、電極界面の電気的特性を明らかにした結果を中心として、金属/p-GaN界面の理解の現状を述べる。p-GaN上の電極は漏れ電流が大きく、基礎物性の理解を困難にしてきた。我々はMgのドーピング量を低減することにより漏れ電流を大幅に低減し、p-, n-GaN電極の障壁高さの和がバンドギャップに等しくなる高障壁なショットキー特性(qφ_B=24ev)をNi/p-GaN電極で実現した。I-V,C-V特性において深い準位からのキャリアの捕獲、放出に伴う大きなメモリー効果が観測された。高温ICTS測定により、禁制帯中央に近い欠陥準位が界面近傍に局在することが分かった。 |
| 抄録(英) | This paper will review the basic understanding of current transport mechanism of metal/p-GaN contacts. We have demonstrated that low Mg doping is affective to improve leaky Schottky characteristics, and provided Schottky barrier height as high as 2.4 eV for Ni/p-GaN contacts. In the I-V and C-V characteristics, a significantly large memory effect was observed, which was caused by carrier capture and emission of deep-level defects. High-temperature ICTS measurements revealed that the deep-level defects were in the mid-gap level, and located in the vicinity of the interface. |
| キーワード(和) | p-GaN / ショットキー接触 / 低Mgドーピング / 深い準位 |
| キーワード(英) | p-GaN / Schottky contact / Low-Mg doping / deep-level defects |
| 資料番号 | ED2007-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 金属/p-GaN界面の電流輸送特性と最近の進展(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current transport mechanism of metal/p-GaN contacts and its recent progress |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | 低Mgドーピング / Low-Mg doping |
| キーワード(4)（和/英） | 深い準位 / deep-level defects |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji SHIOJIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科 University of Fukui |
| 発表年月日 | 2007-06-16 |
| 資料番号 | ED2007-41 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |