| 講演名 | 2007-06-15 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 須原 理彦, 植木 絵理, 奥村 次徳, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 微分負性抵抗素子である共鳴トンネルダイオード2個とFET 1個用いて構成する集積型ジャイレータ回路を提案した。2ポート回路であるジャイレータを基本構成要素とすることにより集積型インダクタやトランスなどの受動素子をコイルレスで構成可能なことは従来から知られているが,ここでは本論文で提案する集積型アクティブジャイレータを用いて,従来のスパイラルインダクタなどの金属配線による素子構成では実現が難しいミリ波帯までの広帯域・低損失・省面積な受動素子構成の可能性を示す。具体的にはRTDとHEMTの寄生素子成分を考慮した等価回路モデルを用いて構成したアクティブ集積型インダクタのインダクタンスやQ値の周波数特性解析に対するデバイスパラメータの影響を検討した。 |
| 抄録(英) | An integrated gyrator circuit is proposed on the basis of using resonant tunneling diodes (RTDs) and a FET. It is well known that a 2-port gyrator circuit can be used to construct coil-less inductor and/or transformer. Here we propose to realize active inductor by using the gyrator constructed with RTDs and a FET and we indicate a possibility to obtain broadband characteristics extended to millimeter wave regime, low loss, and small size occupation on a chip. Numerical analysis is performed by assuming InP based RTDs and a HEMT to be integrated together, and the inductance and the Q-value and their frequency dependence are evaluated for typical device parameters. |
| キーワード(和) | ジャイレータ / 共鳴トンネルダイオード / HEMT / アクティブインダクタ / 高Q値 |
| キーワード(英) | Gyrator / Resonant tunneling diodes / HEMT / Active Inductors / High-Q value |
| 資料番号 | ED2007-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Integrated Gyrator by using Resonant Tunneling Diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ジャイレータ / Gyrator |
| キーワード(2)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / Resonant tunneling diodes |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | アクティブインダクタ / Active Inductors |
| キーワード(5)（和/英） | 高Q値 / High-Q value |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 須原 理彦 / Michihiko SUHARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electronic and Electrical Engineering, Graduate School of Engineering and Science Tokyo Metropolitan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 植木 絵理 / Eri Ueki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electronic and Electrical Engineering, Graduate School of Engineering and Science Tokyo Metropolitan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 奥村 次徳 / Tsugunori OKUMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 Department of Electronic and Electrical Engineering, Graduate School of Engineering and Science Tokyo Metropolitan University |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-39 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |