| 講演名 | 2007-06-15 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 杉山 弘樹, 松崎 秀昭, 小田 康裕, 横山 春喜, 榎木 孝知, 小林 隆, |
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| 抄録(和) | MOVPE法を用いてIn_<0.8>Ga_<0.2>As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製した。断面TEM観察によって薄層AlAs障壁/In_<0.8>Ga_<0.2>As井戸からなる良好な二重障壁構造が形成されている事を確認した。AFM観察では、二重障壁構造のヘテロ界面が原子レベルで平坦な事を確認した。R&D型のMOVPE装置を用いて作製したRTDでは、RTD/HEMT集積回路の高速動作応用に必要な、高ピーク電流密度(1.46x10^5A/cm^2)、高ピーク・バレー電流比(7.7)、低ピーク電圧(0.43V)を同時に満たす特性が得られた。AlAs障壁層厚さは、Al原料供給時間によって高精度制御が可能であり、最も薄いAlAs障壁層を有するRTDでは4x10^5 A/cm^2を上回るピーク電流密度が得られた。最近、このような高品質のRTDは量産型MOVPE成長装置でも可能な事がわかった。 |
| 抄録(英) | InP-based resonant tunneling diodes (RTDs) with a strained In_<0.8>Ga_<0.2>As well and AlAs barriers were grown by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE). Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) confirmed the successful formation of ultra-thin strained AlAs barriers and In_<0.8>Ga_<0.2>As wells. Atomic force microscope (AFM) observation revealed atomically flat interfaces h the double-barrier (DB) structures of the RTDs. We obtained a peak current density (jp) of 1.46x10^5 A/cm^2, high peak-to-valley current ratio (PVR) of 7.7, and a low peak voltage (V_P) of 0.43 V simultaneously by using a R&D-type reactor. Maximum jp exceeded 4x10^5 A/cm^2. The AlAs barrier thickness was precisely controlled by the Al-precursor-supply duration. The excellent RTD characteristics were also obtained from the RTDs grown by using a mass-production-type reactor. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネルダイオード / RTD / MOVPE / InP / InGaAs / AlAs |
| キーワード(英) | Resonant tunneling diode / RTD / MOVPE / InP / InGaAs / AlAs |
| 資料番号 | ED2007-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-quality InP-based resonant tunneling diodes grown by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / Resonant tunneling diode |
| キーワード(2)（和/英） | RTD / RTD |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(6)（和/英） | AlAs / AlAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉山 弘樹 / Hiroki Sugiyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松崎 秀昭 / Hideaki Matsuzaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小田 康裕 / Yasuhiro Oda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 横山 春喜 / Haruki Yokoyama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小林 隆 / Takashi Kobayashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-38 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |