| 講演名 | 2007-06-15 コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 高橋 新之助, 三浦 司, 山下 浩明, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | HBTのInPコレクタ層内に低誘電率絶縁体のSiO_2を埋め込んだ素子ではベースコレクタ間容量が低減され、トランジスタの高速動作が期待できる。等価回路解析によると、200nmのSiO_2細線を埋め込むことにより最大発振周波数が2倍程度向上する。幅310nm,厚さ200nmのSiO_2細線をInPサブコレクタとコレクタで埋め込むことに我々は成功したが、SiO_2細線を埋め込むことによるMOVPEでの結晶成長への影響及びエミッタ直下のSiO_2細線によるリークや電流増幅抑制等によるデバイスの劣化が懸念される。そこで、実際にSiO_2細線を埋め込んだ素子を作製し、直流により特性を評価した。エミッタ接地特性においてはSiO_2細線を埋め込んでいない素子とほとんど差がない特性が得られた。 |
| 抄録(英) | The HBT with buried SiO_2 in InP collector has low Base-Collector Capacitance(C_ |
| キーワード(和) | HBT / MOVPE / 再成長 / InP / ベースコレクタ間容量 / SiO_2細線 |
| キーワード(英) | HBT / MOVPE / regrowth / InP / Base-Collector capacitance / SiO_2 wires |
| 資料番号 | ED2007-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | コレクタ層内にSiO_2細線を埋め込んだHBTのDC特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | DC characteristics of HBT with buried SiO_2 wires in collector |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(2)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | 再成長 / regrowth |
| キーワード(4)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(5)（和/英） | ベースコレクタ間容量 / Base-Collector capacitance |
| キーワード(6)（和/英） | SiO_2細線 / SiO_2 wires |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 新之助 / Shinnosuke TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三浦 司 / Tsukasa MIURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山下 浩明 / Hiroaki YAMASHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科 Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki MIYAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構CREST Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology:CREST, Japan Science and Technology Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito FURUYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科:科学技術振興機構CREST Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology:CREST, Japan Science and Technology Corporation |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-37 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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