| 講演名 | 2007-06-15 Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 斉藤 光史, 森 雅之, 山下 勇司, 丹保 豊和, 前澤 宏一, |
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| 抄録(和) | Si(111)基板上にInSb単分子層を介してInSb薄膜を成長させることで、形成されるInSb薄膜がSi基板に対して30°回転し、結晶品質及び電子移動度が改善できることが分かった。しかし、Si基板表面全体を均一なInSb単分子層によって覆うことができていないため、未だ改善の余地がある。今回、このInSb単分子層形成に関連して、Si(111)面上におけるSb再構成構造上へのIn原子の吸着状態について検討した。その結果、よく似た条件下で形成されるSb(2x1)及びSb(√3x√3)再構成構造上における、In原子の吸着係数の温度依存性が大幅に異なることが明らかになった。これをふまえ、現在の手法より制御し易いInSb単分子層形成法を提案する。 |
| 抄録(英) | It was found that InSb deposition onto a Si(111) surface via InSb-bi-layer resulted in a heteroepitaxial growth of 30° -rotated InSb film with respect to Si substrate. The rotated InSb film has good crystal quality and high electron mobility. However, it is a problem that the entire Si surface is not covered with InSb-bi-layer. In this paper, we study In atom adsorption onto Sb-induced reconstruction on the Si(111) surface. As the result, it is found that the temperature dependence of In-atom sticking coefficient on (2x1)-Sb reconstruction is different from that on (√3x√3)-Sb reconstruction though these reconstructions {(2x1)-Sb and (√3x√3)-Sb} can be formed under similar conditions. Based on these results, we propose another process of InSb-bi-layer formation. |
| キーワード(和) | Si / InSb / ヘテロエピタキシャル成長 / 表面再構成構造 |
| キーワード(英) | Si / InSb / Heteroepitaxial growth / Reconstructed surface |
| 資料番号 | ED2007-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of high quality InSb film via InSb bi-layer on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロエピタキシャル成長 / Heteroepitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | 表面再構成構造 / Reconstructed surface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 斉藤 光史 / Mitsufumi SAITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Venture Business Laboratory, University of Toyama |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 雅之 / Masayuki MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, University of Toyama |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山下 勇司 / Yuji YAMASHITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, University of Toyama |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丹保 豊和 / Toyokazu TAMBO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, University of Toyama |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / Koichi MAEZAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学工学部 Faculty of Engineering, University of Toyama |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-36 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |