| 講演名 | 2007-06-15 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 村田 和範, アハド ノルスルヤティ-ビンティ, 田村 悠, 森 雅之, 丹保 豊和, 前澤 宏一, |
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| 抄録(和) | Si(111)面上へのInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長を超高真空チャンバー内で成長温度200-420℃の範囲で行った。成長したInSb薄膜はX線回折(XRD)、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて評価した。またHall測定によって電気的特性も評価した。1段階成長において220-240℃で結晶性、表面性の良いInSb薄膜が成長した。また、その成長したInSb薄膜は2種類のドメインで形成されていた。1眉目を240℃で成長させた後、2眉目を420で成長させる2段階成長によってInSb薄膜は結晶構造が改善した。このInSb薄膜の移動度は約14000[cm^2/Vs](250K)となった。 |
| 抄録(英) | Heteroepitaxial growth or InSb films on a Si(111) surface was carried out in an ultra-high vacuum (UHV) chamber at growth temperature range 200-420℃. The grown InSb films were characterized by using X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM) and Hall measurement. The preferentially (111)-oriented InSb films were grown for the temperature range of 200℃ and 300℃, and the InSb films with smooth surfae at the temperature rang of 220-240℃. The grown InSb films consisted of two kinds of domains for temperature range of 200-300℃. The in-plane structure of the InSb film was improved using 2-step growth. The electron mobility of InSb film was about 140000 cm^2/Vs. |
| キーワード(和) | X線回折 / 原子間力顕微鏡 / InSb / 2段階成長 |
| キーワード(英) | x-ray diffraction / atomic force microscope / InSb / 2step-growth |
| 資料番号 | ED2007-35 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 2段階成長によるSi(111)面上へのInSb薄膜の成長(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | InSb films on Si(111) substrate by two-step growth |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | X線回折 / x-ray diffraction |
| キーワード(2)（和/英） | 原子間力顕微鏡 / atomic force microscope |
| キーワード(3)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(4)（和/英） | 2段階成長 / 2step-growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 村田 和範 / K. Murata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富山大学理工学研究科 Nano and Functional material Sciences, Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | アハド ノルスルヤティ-ビンティ / N. B. Ahmad |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富山大学理工学研究科 Nano and Functional material Sciences, Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田村 悠 / Y. Tamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富山大学理工学研究科 Nano and Functional material Sciences, Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 森 雅之 / M. Mori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富山大学理工学研究科 Nano and Functional material Sciences, Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 丹保 豊和 / T. Tambo |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富山大学理工学研究科 Nano and Functional material Sciences, Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 前澤 宏一 / K. Maezawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 富山大学理工学研究科 Nano and Functional material Sciences, Graduate School of Science and Engineering, University of Toyama |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-35 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |