| 講演名 | 2007-06-15 InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO_2/Siウェハへのvan der Waals貼付(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 滝田 隼人, / 有田 潤哉, 鈴木 寿一, |
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| 抄録(和) | 分子線エピタキシー法によって成長したInAsトップ層/AlAs犠牲層/InAsバッファ層/GaAs(001)格子不整ヘテロ構造を用いて,InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフ(epitaxial lift-off; ELO),すなわち,AlAs犠牲層選択エッチングによるトップInAs薄膜の分離,および,そのSiO_2/Siウェハ上へのvan der Waals貼付(van der Waals bonding; VWB)を検討した.ELOプロセスの容易さのためには,ある程度の厚さのAlAs犠牲層が必要であるが,厚いAlAs犠牲層は,AlAsとInAsの格子不整に起因したトップInAs薄膜の結晶性の低下をもたらす.そこで,ELOの容易さとInAs薄膜の結晶性とのトレードオフに関する知見を明らかにした上で,ELOおよびVWBを実現した,得られたSiO_2/Siウェハ上のInAs薄膜は,高い電子移動度を示し,良好な電気伝導特性が確認された. |
| 抄録(英) | We investigated epitaxial lift-off (ELO) of InAs thin films using lattice-mismatched InAs top layer/AlAs sacrificial layer/InAs buffer layer/GaAs(001) heterostructures obtained by molecular beam epitaxy. In the ELO process, the InAs top layer is separated from the GaAs substrate with the InAs buffer layer by selective etching of the AlAs sacrificial layer. Van der Waals bonding (VWB) of the epitaxial lifted-off InAs thin films on SiO_2/Si wafers is also investigated. Thicker AlAs sacrificial layers result in easier ELO of the top InAs thin films, but cause a degradation of the crystal quality of the top InAs thin films. Through the clarification of the trade-off between the easiness of the ELO process and the crystal quality of the InAs thin films, we successfully realized the ELO and the VWB. The obtained InAs thin films bonded on the SiO_2/Si wafers exhibit excellent electron transport properties. |
| キーワード(和) | InAs / エピタキシャルリフトオフ / van der Waals貼付 / 格子不整成長 |
| キーワード(英) | InAs / epitaxial lift-off / van der Waals bonding / lattice-mismatched growth |
| 資料番号 | ED2007-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAs薄膜のエピタキシャルリフトオフとSiO_2/Siウェハへのvan der Waals貼付(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial lift-off of InAs thin films and their van der Waals bonding on SiO_2/Si wafers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャルリフトオフ / epitaxial lift-off |
| キーワード(3)（和/英） | van der Waals貼付 / van der Waals bonding |
| キーワード(4)（和/英） | 格子不整成長 / lattice-mismatched growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 滝田 隼人 / Hayato TAKITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | / 有田 潤哉 / Yonkil JEONG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 寿一 / Jun-ya ARITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北陸先端科学技術大学院大学ナノマテリアルテクノロジーセンター Center for Nano Materials and Technology, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-34 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |