| 講演名 | 2007-06-15 Study of localized spins in Be delta-doped GaAs structures , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The correlation of between the negative magnetoresistance and concentration of localized holes in Be/Si pair delta-doped GaAs structures grown by molecular beam epitaxy (MBE) was investigated. The negative magnetoresistance and anomalous Hall resistance were observed in a high-temperature range. The transition temperature from the negative magnetoresistance to the positive one and the magnitude of negative magnetoresistance are directly correlated to "the concentration of localized holes. Dependence of anomalous Hall resistance on the temperature and applied magnetic field is closely correlated to that of negative magnetoresistance for each sample. The dependence is explained on the basis of a paramagnetic state of interacting localized spins coexisting with itinerant holes in the samples. These results strongly suggest the existence of localized spins in the pair delta-doped structure at high temperatures. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | localized spins / negative magnetoresistance / anomalous Hall resistance |
| 資料番号 | ED2007-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of localized spins in Be delta-doped GaAs structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / localized spins |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / J. P. Noh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-33 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |