| 講演名 | 2007-06-15 ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) 天清 宗山, 井上 晃, 後藤 清毅, 國井 徹郎, 山本 佳嗣, 奥 友希, 石川 高英, |
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| 抄録(和) | ミリ波帯増幅器の出力低下の要因である非線形ドレイン抵抗を低減するため、新たに「ステップリセス構造」を採用したGaAs pHEMTを考案・試作し、高耐圧と高電力密度の両立を確認した。本構造は、ゲート埋込GaAs層を150nmと厚層化し、最大許容ドレイン電流を向上させることで非線形ドレイン抵抗を低減し、またゲート近傍に形成したリセスによりゲートリーク電流を抑制することを特徴とする。評価の結果、本改良pHEMTは、ゲート・ドレイン間距離2.0μmにおいてもKa帯にて0.65W/mmもの高電力密度を実現し、同時にオン状態の3端子耐圧が30Vを超える高耐圧を示すことを確認した。また規提案の非線形ドレイン抵抗モデルは、これらのKa帯大信号特性を精度良く説明することが出来、ミリ波高出力pHEMTの構造設計に有効な手法であると考えられる。 |
| 抄録(英) | A new GaAs pHEMT structure, which has achieved both high power density and high breakdown voltage for millimeter-wave amplifiers, is presented. According to the nonlinear drain resistance model previously proposed, we have adopted a "Stepped Recess" structure, which includes a GaAs buried layer 150 nm thick to reduce the nonlinear drain resistance and a recessed area at the gate side to control the gate leakage current. Consequently, even at the 2.0 μm width of the gate-to-drain separation, the developed pHEMT has showed a high power density of 0.65 W/mm in the Ka band, and high on-state breakdown voltage of over 30 V at once. In addition, the proposed nonlinear drain resistance model effectively explains this power performance. |
| キーワード(和) | ミリ波 / pHEMT / 電力密度 / 耐圧 / トランジスタモデル / 非線形ドレイン抵抗 |
| キーワード(英) | millimeter wave / pHEMT / power density / breakdown voltage / transistor model / nonlinear drain resistance |
| 資料番号 | ED2007-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT : 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立(化合物半導体プロセス・デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A High Power and High Breakdown Voltage Millimeter-Wave GaAs pHEMT with Low Nonlinear Drain Resistance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ミリ波 / millimeter wave |
| キーワード(2)（和/英） | pHEMT / pHEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 電力密度 / power density |
| キーワード(4)（和/英） | 耐圧 / breakdown voltage |
| キーワード(5)（和/英） | トランジスタモデル / transistor model |
| キーワード(6)（和/英） | 非線形ドレイン抵抗 / nonlinear drain resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 天清 宗山 / Hirotaka Amasuga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 晃 / Akira Inoue |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 後藤 清毅 / Seiki Goto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 國井 徹郎 / Tetsuo Kunii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 佳嗣 / Yoshitsugu Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 奥 友希 / Tomoki Oku |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 高英 / Takahide Ishikawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2007-06-15 |
| 資料番号 | ED2007-32 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 95 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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