| 講演名 | 2007/6/18 Low Gate Leakage Current HEMTs by a New Airbridge Gate and a Liquid Oxidization Surface , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Conventional AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors (HEMTs) have high gate leakage current due to gate electrode contact to the exposed channel layer and the carrier provided layer on mesa sidewall. In this study, we used a new no step airbridge gate structure to reduce the gate leakage and improve the breakdown voltage. Furthermore, a liquid oxidization method is applied to further reduce the gate leakage. Those proposed methods didn't increase any masks as compared with the conventional process. In our study, the new airbridge gate structure shows smaller gate-source capacitance than the conventional structure. Therefore, the device high frequency performances can be improved. We will demonstrate the enhanced device characteristics of gate-to-drain breakdown voltages, RF and microwave power performances by using airbridge gate structure and conventional HEMTs. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Gate leakage / High electron mobility transistor / airbridge |
| 資料番号 | ED2007-117,SDM2007-122 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Gate Leakage Current HEMTs by a New Airbridge Gate and a Liquid Oxidization Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Gate leakage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Feng-Tso Chien |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of Electronic Engineering, Feng-Chia University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-117,SDM2007-122 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |