| 講演名 | 2007/6/18 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) 佐藤 威友, 藤野 敏幸, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | InPポーラスナノ構造の高密度形成と,精密な寸法制御を目的とした表面エッチングを連続的に行う2段階電気化学プロセスを開発した.ポーラス形成直後の陰極分解反応によりInP孔壁の厚さは30nmから15nm までナノメータスケールで制御され,これまでにない高いアスペクト比を持つ特徴的なナノ構造が形成された.また,ポーラスナノ構造の過酸化水素に対する応答特性は,プレーナ基板と比較して大幅に向上した.これは,ポーラス構造が大きな実効表面積を有することに起因しており,化学/バイオセンサへの応用に有望であることを示している. |
| 抄録(英) | A two-step electrochemical process was developed to form high-density array of InP porous nanostructures. By the subsequent cathodic decomposition after the porous formation, the thickness of InP pore walls was precisely controlled in the nanometer-scale range from 30 to 15 nm, resulted in formation of the unique nanostructures with a high aspect ratio. The current response of the porous samples to a hydrogen peroxide (H_2O_2) was increased due to the large surface area, as compared with the planar InP substrate. The results indicate that the present nanostructures is promising for the application to bio-chemical sensors. |
| キーワード(和) | 電気化学プロセス / ポーラス構造 / 陰極分解 / InP / 化学センサ |
| キーワード(英) | Electrochemical Process / Porous Structure / Cathodic Decomposition / Indium Phosphide / Chemical Sensor |
| 資料番号 | ED2007-113,SDM2007-118 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 電気化学的手法を用いたInPポーラスナノ構造の形成とセンサ応用(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrochemical formation and sensor application of InP porous nanostructures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気化学プロセス / Electrochemical Process |
| キーワード(2)（和/英） | ポーラス構造 / Porous Structure |
| キーワード(3)（和/英） | 陰極分解 / Cathodic Decomposition |
| キーワード(4)（和/英） | InP / Indium Phosphide |
| キーワード(5)（和/英） | 化学センサ / Chemical Sensor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤野 敏幸 / Toshiyuki FUJINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-113,SDM2007-118 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |