| 講演名 | 2007/6/18 Studies on channel and gate recess modification of Metamorphic HEMT for the improved breakdown characteristics and RF performance , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this study, we have performed both the channel modification of the conventional MHEMT (Metamorphic High Electron Mobility Transistor) and the optimization of gate recess width to improve the breakdown characteristics. The modified channel consists of the In_xGa_<1-x>As and the InP layers. Since InP has lower impact ionization coefficient than In_<0.53>Ga_<0.47>As, we have adopted the InP-composite channel in the modified MHEMT. Also, the gate recess width is both functions of breakdown and RF characteristic of a HEMT structure. Therefore, we have studied the breakdown and RF characteristic for various gate recess widths in MHEMT. We have compared breakdown characteristic of the InP-composite channel with that of conventional MHEMT, and we have analyzed the measurement results of the fabricated devices. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Metamorphic HEMT / InP-composite channel MHEMT / Gate recess |
| 資料番号 | ED2007-112,SDM2007-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Studies on channel and gate recess modification of Metamorphic HEMT for the improved breakdown characteristics and RF performance |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Metamorphic HEMT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Seok Gyu Choi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Millimeter-wave Innovation Technology Research Center (MINT) Dongguk University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-112,SDM2007-117 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |