| 講演名 | 2007/6/18 4-bit FinFET SONOS Flash Memory : Optimization of Structure and 3D Numerical Simulation , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We study the 4-bit FinFET SONOS memory which is based on double gate MOSFETs. It is operated by channel hot electron injection (CHEI)/hot hole injection (HHI) as program/erase (P/E) mechanisms. The array of the device is based on NOR-type structure. In this paper, an improved array structure of the device is proposed. The program characteristics associated with junction depth are further investigated using 3D SILVACO ATLAS simulation. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SONOS / 4bit / NOR / Flash Memory |
| 資料番号 | ED2007-103,SDM2007-108 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 4-bit FinFET SONOS Flash Memory : Optimization of Structure and 3D Numerical Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SONOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yoon Kim |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Electrical Engineering, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-103,SDM2007-108 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |