講演名	2007/6/18 Extraction Method of the Interface and Nitride Trap Density in Nitride-Based Charge Trapped Flash Memories Using an Optical Response ,
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抄録(和)
抄録(英)	Optical characterization method for extracting the energy level of both Si/SiO_2 interface (D_) and nitride trap density (D_) in nitride-based Charge Trapped Flash memories is proposed. As the first method, the D_ is successfully extracted from the optical response of a subthreshold current, without both an electrical stress and substrate current measurement. As the second method, the D_ is successfully extracted from the optical response of a capacitance-voltage (C-V) curve, without both a temperature-dependence and time-dependence measurement. Proposed method is generally applicable to the extraction of both shallow and deep traps in the nitride layer by controlling the wavelength of the optical source.
キーワード(和)
キーワード(英)	Charge Trapped Flash memory / nitride trap density / interface trap density / C-V / subthreshold current / optical characterization method
資料番号	ED2007-102,SDM2007-107
発行日

研究会情報
研究会	ED
開催期間	2007/6/18(から1日開催)
開催地（和）
開催地（英）
テーマ（和）
テーマ（英）
委員長氏名（和）
委員長氏名（英）
副委員長氏名（和）
副委員長氏名（英）
幹事氏名（和）
幹事氏名（英）
幹事補佐氏名（和）
幹事補佐氏名（英）

講演論文情報詳細
申込み研究会	Electron Devices (ED)
本文の言語	ENG
タイトル（和）
サブタイトル（和）
タイトル（英）	Extraction Method of the Interface and Nitride Trap Density in Nitride-Based Charge Trapped Flash Memories Using an Optical Response
サブタイトル（和）
キーワード(1)（和/英）	/ Charge Trapped Flash memory
第 1 著者 氏名（和/英）	/ S. Y. Lee
第 1 著者 所属（和/英）	School of Electrical Engineering, Kookmin University
発表年月日	2007/6/18
資料番号	ED2007-102,SDM2007-107
巻番号（vol）	vol.107
号番号（no）	110
ページ範囲	pp.-
ページ数	4
発行日