| 講演名 | 2007/6/18 High Performance Bottom-Gated Poly-Si Thin Film Transistors Employing Novel Extended Metal-Pad , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Thin Film Transistor with poly-silicon channel improves kink effect by reducing drain electrical field has been investigated. In this paper, we propose a novel FID poly-silicon Thin Film Transistor with field plate to improve kink effect. By employing field plate overlapped channel, the electric field crowding near drain could be mitigated due to the field plate. We also explored different length of field plate and thickness of passivation oxide by ISE TCAD simulation tool. As the results, it reduces electric field effectively to improve kink effect without sacrificing characteristics too much. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Thin Film Transistors / field-induced drain / kink effect / field plate |
| 資料番号 | ED2007-92,SDM2007-97 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Performance Bottom-Gated Poly-Si Thin Film Transistors Employing Novel Extended Metal-Pad |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Thin Film Transistors |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Chin-Mu Fang |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronic Engineering, Feng-Chia University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-92,SDM2007-97 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |