| 講演名 | 2007/6/18 3-D stacked CMOS Inverters using laser crystallized poly-Si film TFTs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | High performance three-dimensional (3-D) stacked poly-Si complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) inverters with a high quality laser crystallized channel were fabricated. Low temperature crystallization methods of a-Si film using the excimer-laser annealing (ELA) and sequential lateral solidification (SLS) were performed. The NMOS thin-film-transistor (TFT) at lower layer of CMOS was fabricated on oxidized bulk Si substrate, and the PMOS TFT at upper layer of CMOS was fabricated on interlayer dielectric film. Considerably uniform silicon grains with (111) preferential crystal orientation were obtained by the laser annealing. Sub-threshold swings of fabricated NMOS at lower layer and PMOS at upper layer TFTs were 78 mV/dec. and 86 mV/dec., respectively. The field effect mobility of NMOS arid PMOS TFTs is 42.5 cm^2/V・s and 76 cm^2/V・s, respectively. Also, the on/off current ratio of both TFTs was larger than 10^7. The 3-D stacked poly-Si CMOS inverter showed excellent electrical characteristics and was enough for the vertical integrated CMOS applications. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | excimer-laser annealing / sequential lateral solidification / poly-Si TFT / CMOS |
| 資料番号 | ED2007-89,SDM2007-94 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3-D stacked CMOS Inverters using laser crystallized poly-Si film TFTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / excimer-laser annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Woo-Hyun Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Department of Electronic Materials Engineering, Kwangwoon University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-89,SDM2007-94 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |