講演名 | 2007/6/18 メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) 金丸 正剛, 長尾 昌善, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 超高輝度フィールドエミッションディスプレイの電子源として、メモリ機能を有するポリシリコン薄膜トランジスタ(TFT)で制御されたフィールドエミッタアレイ(FEA)を開発した。製作したフィールドエミッタアレイにおいて、HfC薄膜を被覆することによるシリコンエミッタの長寿命化、アルゴンイオンエッチングとCHF_3プラズマエッチングを併用したエミッタ先鋭化プロセスの低温化、シリコンフィールドエミッタとポリシリコンTFTの集積化を実現し、電子放出のにおけるメモリ動作実証に成功した。 |
抄録(英) | A field emission array (FEA) that is controlled by a poly-silicon thin film transistor (TFT) with a memory function was developed for the application of an ultrahigh luminance field emission display. The fabricated FEA has the following features: a silicon emitter was covered with a HfC thin layer to exhibit a long lifetime. An apex of the emitter was sharpened with argon ion etching followed by CHF_3 plasma etching at low temperature. A Si FEA was integrated with a poly-Si TFT, and a memory operation of field emission was demonstrated successfully. |
キーワード(和) | フィールドエミッタアレイ / フィールドエミッションディスプレイ / FED / ポリシリコンTFT |
キーワード(英) | Field Emitter Array / Field Emission Display / FED / poly-silicon TFT |
資料番号 | ED2007-84,SDM2007-89 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
---|---|
開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
---|---|
本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | メモリ機能を有するシリコンTFTで制御されたフィールドエミッタアレイ(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Silicon-TFT-based active-matrix field emitter arrays with a memory function |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | フィールドエミッタアレイ / Field Emitter Array |
キーワード(2)(和/英) | フィールドエミッションディスプレイ / Field Emission Display |
キーワード(3)(和/英) | FED / FED |
キーワード(4)(和/英) | ポリシリコンTFT / poly-silicon TFT |
第 1 著者 氏名(和/英) | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru |
第 1 著者 所属(和/英) | 独立行政法人産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
第 2 著者 所属(和/英) | 独立行政法人産業技術総合研究所 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
発表年月日 | 2007/6/18 |
資料番号 | ED2007-84,SDM2007-89 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 110 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |