| 講演名 | 2007/6/18 ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) 加藤 正史, 三鴨 一輝, 市村 正也, 兼近 将一, 石黒 修, 加地 徹, |
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| 抄録(和) | GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり, GaNの大電力素子を作製する上でp 型層の形成とエッチングプロセスは必要不可欠である.本研究ではp型GaNに対するプラズマエッチングの影響をショットキーダイオードの電気的測定により評価した.その手法としてDLTS測定およびフォトキャパシタンス測定を用いた.その結果, p型GaNとn型GaNのどちらにおいてもプラズマエッチングにより伝導帯から0.25eV付近のエネルギー位置に深い準位が形成されることがわかった.この準位は窒素空孔に起因するものだと考えられ, p型GaNにおいて直列抵抗を増加させると考えられる. |
| 抄録(英) | Gallium Nitride (GaN) is a promising semiconductor material for high-power devices. For realization of the high-power devices, formation of p-type layer and plasma etching process are essential. In this work, we characterize plasma etching effects to p-type GaN using Schottky diodes. We employed deep level transient spectroscopy and photocapacitance measurements. As a result, we observed a deep level located Ec-0.25 eV in both n-type and p-type GaN. It is considered that this level corresponds to a deep level introduced by nitrogen vacancy and increases series resistance of p-type GaN. |
| キーワード(和) | GaN / プラズマエッチング / ショットキーダイオード / DLTS / フォトキャパシタンス |
| キーワード(英) | GaN / plasma etching / Schottky diode / DLTS / photocapacitance |
| 資料番号 | ED2007-75,SDM2007-80 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ショットキーダイオードの容量測定によるp型GaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of plasma etching effects on p-type GaN by capacitance measurements of Schottky diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマエッチング / plasma etching |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(4)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(5)（和/英） | フォトキャパシタンス / photocapacitance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三鴨 一輝 / Kazuki MIKAMO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 兼近 将一 / Masakazu KANECHIKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Laboratories., Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石黒 修 / Osamu ISHIGURO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Laboratories., Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu KACHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Laboratories., Inc. |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-75,SDM2007-80 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |