| 講演名 | 2007/6/18 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) 加藤 正史, 福島 圭亮, 市村 正也, 兼近 将一, 石黒 修, 加地 徹, |
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| 抄録(和) | 窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており, GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチング工程は不可欠である. GaNのエッチング技術としてプラズマエッチングの1つであるICP(Inductively coupled plasma)エッチングは有効であるが,試料表面にダメージ層を形成することがわかっている.本研究ではICPエッチング処理を施したGaNに対し,マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法により過剰キャリアライフタイムを測定した.減衰曲線の温度依存特性を測定することでICPエッチングダメージが導入する欠陥準位の特性を評価した.そしてさらにICPエッチングされたGaNの過剰キャリアライフタイムに対するアニールの効果を議論した. |
| 抄録(英) | Gallium nitride (GaN) is a promising material for high power and high frequency devices, and the etching processes are necessary in bipolar device fabrication. Inductively coupled plasma (ICP) etching is one of the plasma etching technique which forms damaged layer on surface of GaN. In this work, we have measured the excess carrier lifetime in ICP etched GaN with the microwave photoconductivity decay (μ-PCD) method. We analyzed deep levels introduced by ICP etching by measuring temperature dependence of decay curves. We also discussed about effects of annealing by observing the excess carrier lifetime. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / キャリアライフタイム / μ-PCD法 / プラズマエッチング / 温度依存 / アニール |
| キーワード(英) | Gallium nitride / carrier lifetime / μ-PCD method / plasma etching / temperature dependence / annealing |
| 資料番号 | ED2007-74,SDN2007-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 過剰キャリアライフタイム測定によるGanのプラズマエッチングダメージの解析(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of plasma etching damages in GaN by excess carrier lifetime measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | キャリアライフタイム / carrier lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | μ-PCD法 / μ-PCD method |
| キーワード(4)（和/英） | プラズマエッチング / plasma etching |
| キーワード(5)（和/英） | 温度依存 / temperature dependence |
| キーワード(6)（和/英） | アニール / annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福島 圭亮 / Keisuke FUKUSHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya institute of technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 兼近 将一 / Masakazu KANECHIKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石黒 修 / Osamu ISHIGURO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu KACHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Labs., Inc. |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-74,SDN2007-79 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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