| 講演名 | 2007/6/18 Electrical Characterization of Indium-rich InGaN/GaN Multi Quantum Wells , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have analyzed the quantum energy levels of multi-stacked In-rich InGaN/GaN quantum well (QW) system from the electrical and optical properties obtained by performing C-V, DLTS, and PL measurements. The carrier accumulation peaks, one of the evidence of the QW existence, appeared in carrier profile calculated from the C-V data. In the DLTS measurement, two kinds of signals originated from a confined energy level of QW and an antisite point defect were analyzed, and then their activation energies were obtained about 0.37 and 0.63 eV from the conduction band edge, respectively. From the PL measurements it showed that the band gap of GaN and the energy for band to band transition of InGaN QW are 3.40 eV and 3.10 eV, respectively. In result, the band structure of the InGaN/GaN QW system could be suggested. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Deep level transient spectroscopy / C-V / PL / InN / GaN / Quantum well / Energy level |
| 資料番号 | ED2007-73,SDM2007-78 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characterization of Indium-rich InGaN/GaN Multi Quantum Wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Deep level transient spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jin Soak KIM |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Quantun-Function Spinics Lab. and Dept. of Physics, Hanyang University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-73,SDM2007-78 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |