| 講演名 | 2007/6/18 A Wideband Power Efficient SiGe BiCMOS Medium Power Amplifier , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In this paper, a wideband 2.2GHz-4.9GHz Medium Power Amplifier has been designed and fabricated using 0.8um SiGe BiCMOS process technology. Passive elements such like parallel-branch spiral inductor, metal-insulator-metal (MIM) capacitor and three types of resistors are all integrated in this process. This MPA is a two stage design with all matching components and bias circuits integrated on chip. A P1dB of 17.7dBm has been measured with a power gain of 8.7dB at 3.4GHz with a total current consumption of 30mA from a 3 V supply voltage at 25℃ degree. The measured 3dB bandwidth is 2.7GHz and the maximum PAE is 41%, which are very good results for a fully integrated Medium PA. The fabricated circuit occupies a die area of 1.7mm X 0.8mm. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SiGe / BiCMOS / Inductor / Medium Power Amplifier |
| 資料番号 | ED2007-63,SDM2007-68 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Wideband Power Efficient SiGe BiCMOS Medium Power Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hyun-Cheol BAE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | SiGe Circuit Team, RF Circuit Group, ICCL, ETRI |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-63,SDM2007-68 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |