| 講演名 | 2007/6/18 Low-Energy Deuterium Implantation for the Enhancement of Gate Oxide Reliability in MOSFETs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This paper is focused on the new method to improve gate oxide reliability in MOSFET, which is related to deuterium incorporation. Low-energy implantation of D^+ ions was achieved at the back-end of process line (BEOL). The D^+ ions could reach near the gate oxide, SiO_2, region, and passivate some of traps or defects through the chemical bond with Si or O atom. Our result was also compared with that of the conventional H^+ passivation method. Device parameter variations as well as the gate leakage current depend on the degradation of gate oxide and are improved by our deuterium incorporation method. However, when the concentration of deuterium is redundant in gate oxide, excess traps are generated and degrades the performance. Our results suggest the new passivation process that gives enhanced device reliability, and can be implemented conveniently in the standard CMOS process. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Deuterium / Ion implantation / MOSFET / Gate oxide / Reliability / Defect |
| 資料番号 | ED2007-58,SDM2007-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Energy Deuterium Implantation for the Enhancement of Gate Oxide Reliability in MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Deuterium |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jae-Sung Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Division of Information & Communication Engineering, Uiduk University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-58,SDM2007-63 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |