| 講演名 | 2007/6/18 Laser-induced Epitaxial Growth (LEG) Technology for High Density 3-D Stacked Memory with High Productivity , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | LEG (Laser-induced Epitaxial Growth) process has been proposed to obtain the single c-Si layer over oxide and successfully demonstrated with cell-stacked high density SRAM. With LEG process, the energy density of laser beam and the seed formation are the key factors to determine the crystal quality of Si layer on oxide. CMOSFETs on Si film prepared by LEG process have excellent behaviors in terms of both performance and its variations. It is found that high density LEG SRAMs with stacked cell transistor have fully worked with the lowest stand-by current of less than 0.3uA/Mb to date. LEG process is believed to be a promising technology for providing the high quality Si channel layer to the stacked memory devices. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2007-57,SDM2007-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Laser-induced Epitaxial Growth (LEG) Technology for High Density 3-D Stacked Memory with High Productivity |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Yong-Hoon Son |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Process Development Team, Memory Division, Samsung Electronics Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-57,SDM2007-62 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | |