| 講演名 | 2007/6/18 Selective Epitaxial Growth of SiGe Layers with High Aspect Ratio Mask of Dielectric Films , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | This paper presents the selective epitaxial growth(SEG) properties of reduced pressure chemical vapor deposition (RPCVD) at low temperatures of 675～725℃ with high aspect ratio mask of dielectric films. The SEG process has been investigated to understand the influence of loading effect, mask pattern shape and size dependency, and RPCVD process parameter effects. In order to overcome difficulties associated with high-aspect ratio, it is critical to understand the process pressure in the ranges of a few tens Torr showing intermediate regime of kinetic and molecular flows. SiGe epi layers designed with X_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SiGe / SEG / aspect ratio / RPCVD |
| 資料番号 | ED2007-56,SDM2007-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Selective Epitaxial Growth of SiGe Layers with High Aspect Ratio Mask of Dielectric Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / A-Ram Choi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-56,SDM2007-61 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |