| 講演名 | 2007/6/18 Quantum-Mechanical Effects in Nanometer Scale MuGFETs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Solving the Poisson and Schrodinger equations self-consistently in two-dimensions reveals quantum-mechanical effects that influence the electron concentration, the threshold voltage and the drain current in MuGFETs. The average electron concentration needed to reach the threshold voltage depends on the gate configurations and the device geometry. The dependence of the energy of the lowest subband on the different gate configurations is studied, and the relation between threshold voltage and the lowest subband energy is investigated. The reduced drain current due to the dynamic threshold voltage effect has been analyzed. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | SOI technology / MuGFET / quantum-mechanical effects / energy subbands / silicon nanowires |
| 資料番号 | ED2007-54,SDM2007-59 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum-Mechanical Effects in Nanometer Scale MuGFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SOI technology |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Se Re Na Yun |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of Electronics Engineering, University of Incheon |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-54,SDM2007-59 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |