| 講演名 | 2007/6/18 Stress Effect Analysis for PD-SOI pMOSFETs with Undoped-Si_<0.88>Ge_<0.12> Heterostructure Channel , |
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| 抄録(和) | ||
| 抄録(英) | The stress effect of SiGe p-type metal oxide semiconductor field effect transistors(MOSFETs) has been investigated to compare property of devices made of the Si Bulk and the partially depleted silicon on insulator(PD SOI). The electrical properties in SiGe PD SOI presented enhancements in subthreshold slope and drain induced barrier lowering in comparison to SiGe bulk. Threshold voltage shift is monitored as a function of hot carrier stress time of both structures. Hot carrier induced device degradation is observed significant from I-V measurements at specified stress intervals. A comparison of the V_ | shift for the SiGe Bulk and the SiGe PD SOI devices clearly shows that the SiGe PD SOI is more immune from hot carriers than the SiGe Bulk. The 1/f noise increase was not serious after hot carrier stress as measured in saturation mode. It is concluded that the properties of SiGe PD SOI could be maintained stable in operation of hot carrier injection condition. |
| キーワード(和) | ||
| キーワード(英) | SiGe / MOSFET / PD SOI / stress effect | |
| 資料番号 | ED2007-52,SDM2007-57 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress Effect Analysis for PD-SOI pMOSFETs with Undoped-Si_<0.88>Ge_<0.12> Heterostructure Channel |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / SiGe |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Sang-Sik Choi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Semiconductor and Chemical Engineering, Semiconductor Physics Research Center, Chonbuk National University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-52,SDM2007-57 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |