| 講演名 | 2007/6/18 FN Stress Induced Degradation on Random Telegraph Signal Noise in Deep Submicron NMOSFETs , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | As the gate area decreases to the order of a square micron, individual trapping events can be detected as fluctuations between discrete levels of the drain current, known as random telegraph signal (RTS) noise. In many circuit application areas such as CMOS Image sensor and flash memory are already suffering from RTS noise. Especially, in case of flash memory, FN stress causes threshold voltage shift problems due to generation of additional oxide traps, which degrades circuit performance. In this paper, we investigated how FN stress effects on RTS noise behavior in MOSFET and monitored it from the time domain and frequency domain. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Random Telegraph Signal Noise / FN stress / flash memory / MOSFET |
| 資料番号 | ED2007-49,SDM2007-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | FN Stress Induced Degradation on Random Telegraph Signal Noise in Deep Submicron NMOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Random Telegraph Signal Noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Hochul Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Seoul National Univ. Dept. of EE |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-49,SDM2007-54 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |