| 講演名 | 2007/6/18 ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) 平本 俊郎, |
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| 抄録(和) | MOSトランジスタの微細化に伴い,トランジスタの特性ばらつきの影響が顕著になっている.個々のトランジスタは正常に動作しても,回路が正常に動作しなかったり,回路の動作マージンが著しく減少したりするなどの現象を引き起こしている.トランジスタのサイズがナノの領域に入りつつある現在,特性ばらつきを引き起こす原因は単純ではない.複数の要因が複雑に絡み合っており,すべてのばらつき要因はまだ定量的に明らかになっていない.本講演では,微細トランジスタの特性ばらつきの現状と特性ばらつき対策等について述べるとともに,平成18年度から始まった半導体MIRAIプロジェクトのロバストトランジスタプログラムにおける取り組みについて紹介する. |
| 抄録(英) | The variations in transistor characteristics rapidly increase as the transistor size is miniaturized. Although each transistor operates correctly, the margin of circuit operation is severely degraded or the circuit fails. The origin of the characteristic variations is not simple in the nanoscale regimes. The various elements causing fluctuations are complexly related and the quantitative total fluctuations have not been understood yet. In this presentation, the present status and measures to the characteristic variations are described, and the activities of "Robust Design of Transistors" Program of the MIRAI Project are also introduced. |
| キーワード(和) | 微細MOSトランジスタ / しきい値電圧ばらつき / 不純物ゆらぎ |
| キーワード(英) | Scaled CMOS / Threshold voltage variations / Random dopant fluctuations |
| 資料番号 | ED2007-48,SDM2007-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | ロバストトランジスタ技術 : 特性ばらつきの現状と対策(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Robust Design of Transistors : Present Status and Measures to Characteristic Variations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 微細MOSトランジスタ / Scaled CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | しきい値電圧ばらつき / Threshold voltage variations |
| キーワード(3)（和/英） | 不純物ゆらぎ / Random dopant fluctuations |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro HIRAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:MIRAI-Selete Institute of Industrial Science, University of Tokyo:MIRAI-Selete |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-48,SDM2007-53 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 110 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |