| 講演名 | 2007-06-08 プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) 寺本 章伸, 荒谷 崇, 樋口 正顕, 池永 英司, 野平 博司, 須川 成利, 大見 忠弘, 服部 健雄, |
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| 抄録(和) | マイクロ波励起Xe/NH_3プラズマ中において、Siをプラズマ窒化することによりSi(100)、(111)、(110)上に形成したSi_3N_4/Si界面における中間窒化状態(サブナイトライド)の面密度と価電子帯オフセットを、フォトン・エネルギ1050eVの軟X線により励起したSi2p光電子スペクトルの測定とフォトン・エネルギ951eVの軟X線により励起した価電子帯スペクトル光電子の脱出角15°と80°における測定から決定した。サブナイトライドの面密度はSi基板の面密度の増加に伴い減少した。価電子帯オフセットはいずれの面方位においても、1.63±0.06eVとなった。 |
| 抄録(英) | An area density of subnitride and a valence band offset in Si_3N_4 films formed on Si(100), (111), (110) surface by microwave excited Xe/NH_3 plasma are evaluated using Si 2p spectra emitted by soft X-ray (wave length=1050 eV) and the spectra of the valence band for escape angle of 15° and 80° emitted by soft X-ray (wave length=951 eV), respectively. The density of subnitride decreases with an increase in the surface area density of Si atoms. The energy offsets of balance band for Si_3N_4 formed by the radical nitridation are the same for every Si surface orientation. |
| キーワード(和) | シリコン窒化膜 / サブナイトライド / 界面 / XPS |
| キーワード(英) | silicon nitride film / subnitride / interface / XPS |
| 資料番号 | SDM2007-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on subnitride and valence band offset at Si_3N_4/Si interface formed using nitrogen radicals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン窒化膜 / silicon nitride film |
| キーワード(2)（和/英） | サブナイトライド / subnitride |
| キーワード(3)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(4)（和/英） | XPS / XPS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu TERAMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒谷 崇 / Takashi ARATANI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 樋口 正顕 / Masaaki HIGUCHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 池永 英司 / Eiji IKENAGA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 高輝度光科学研究センター Japan Synchrotron Radiation Research Institute |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 野平 博司 / Hiroshi NOHIRA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 武蔵工業大学大学院工学研究科 Musashi Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi SUGAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro OHMI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 服部 健雄 / Takeo HATTORI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東北大学未来科学技術共同研究センター New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2007-06-08 |
| 資料番号 | SDM2007-39 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 85 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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