| 講演名 | 2007-06-07 B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) 白石 博之, 細井 卓治, 大田 晃生, 宮崎 誠一, 芝原 健太郎, |
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| 抄録(和) | Pd_2Siはフルシリサイド構造によるメタルゲート応用が期待される材料の一つである。我々はこれまでにP、As、Sbのポリシリコンへのプレドーピングで正方向に仕事関数変調可能であることを報告した。BF^+_2あるいはB^+を用いたB添加ではシフト方向が前者で負、後者で正という反対の結果が得られた。これまでのシリサイド化過程のメカニズム考察に加えて、光電子分光による絶縁膜との界面付近の組成・結合状態評価を行い、B添加時の仕事関数シフトの機構を議論した。 |
| 抄録(英) | Pd_2Si is one of the FUSI (Fully Silicided) gate materials which are expected as a metal gate material. We have already reported workfunction tuning to positive direction by predoping of P, As or Sb to poly-Si. Predoping of B by implantation of BF^+_2 or B^+ resulted in workfunction shift to negative and positive directions, respectively. In addition to previous investigation on silicidation process, silicide composition and chemical bonding in the vicinity of the silicide/insulator interface were evaluated. Based on these knowledges, workfunction shift mechanism was discussed. |
| キーワード(和) | メタルゲート / フルシリサイド / FUSI / 仕事関数 / Pd_2Si |
| キーワード(英) | metal gate / fully silicided gate / FUSI / work function / Pd_2Si |
| 資料番号 | SDM2007-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Workfunction Tuning of B Doped Fully-Silicided Pd_2Si Gate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | メタルゲート / metal gate |
| キーワード(2)（和/英） | フルシリサイド / fully silicided gate |
| キーワード(3)（和/英） | FUSI / FUSI |
| キーワード(4)（和/英） | 仕事関数 / work function |
| キーワード(5)（和/英） | Pd_2Si / Pd_2Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白石 博之 / Hiroyuki SHIRAISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科 Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University:Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 細井 卓治 / Takuji HOSOI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大田 晃生 / Akio OHTA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seiichi MIYAZAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 芝原 健太郎 / Kentaro SHIBAHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学ナノデバイス・システム研究センター:広島大学大学院先端物質科学研究科 Research Center for Nanodevices and Systems, Hiroshima University:Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2007-06-07 |
| 資料番号 | SDM2007-37 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 85 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |