| 講演名 | 2007/6/18 Design and Simulation of Single Hole Transistor with Tunneling Barrier formed by Fixed Charge , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Single Hole Transistor (SHT) with tunneling barrier formed by silicon-silicon nitride fixed charge is designed and simulated by device simulator (SILVACO). Electric Barrier formed by Fixed Charge (EBFC) is more advantageous in terms of room temperature operation than electric barrier induced through electrodes. This is because the capacitance between the quantum dot and barrier forming electrodes can be eliminated, leading to considerable increase in charging energy and hence increase in operation temperature. Gate bias dependence of SHT with EBFC is characterized using a device simulator. In addition, devices with different dimensional parameters, doping concentrations and materials are utilized to optimize the tunneling barrier. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Single Hole Transistor / Fixed Charge / Quantum Dot |
| 資料番号 | ED2007-83,SDM2007-88 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design and Simulation of Single Hole Transistor with Tunneling Barrier formed by Fixed Charge |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Single Hole Transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Dong-Seup Lee |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) and School of Electrical Engineering and Computer Science, Seoul National University |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-83,SDM2007-88 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 111 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |