講演名 2007/6/18
Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
田部 道晴, ヌルヤディ ラトノ, ブルハヌディン ザイナル,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 我々は、Siデバイスのブレークスルーにとって、3つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一フォトンおよび単一ドーパントの検出・利用であり、これらは相互に深く関連している。本報告では、単一フォトン検出を中心に、Si多重接合FETを用いた我々の最近の研究結果について述べる。フォトン検出の研究はまだ基礎的段階であるが、従来のアバランシェ・フォトダイオードなどと比べて低電圧動作が可能で、ポストスケーリング技術としての可能性を持っている。
抄録(英) We have studied three research aspects as key technologies for breakthrough in Si devices, i.e., time-controlled transfer of individual electrons, detection of single-photons and single-dopants. In this paper, we will present our recent research results primarily on single-photon detection by multi-junction single-electron- or single-hole-tunneling devices. Although single-photon detection by single-electron devices is in the initial stage of basic research, it may open up a new field in post-scaling technologies, since the required voltage is much smaller than conventional avalanche photodiodes.
キーワード(和) Si / 単電子デバイス / 単電子転送 / フォトン検出 / 単一ドーパント
キーワード(英) Si / single-electron device / single-electron transfer / single-photon detection / single-dopant
資料番号 ED2007-80,SDM2007-85
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2007/6/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 ENG
タイトル(和) Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Si Single-Electron FETs for Single-Photon Detection
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) Si / Si
キーワード(2)(和/英) 単電子デバイス / single-electron device
キーワード(3)(和/英) 単電子転送 / single-electron transfer
キーワード(4)(和/英) フォトン検出 / single-photon detection
キーワード(5)(和/英) 単一ドーパント / single-dopant
第 1 著者 氏名(和/英) 田部 道晴 / Michiharu TABE
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) ヌルヤディ ラトノ / Ratno NURYADI
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
第 3 著者 氏名(和/英) ブルハヌディン ザイナル / Zainal BURHANUDIN
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
発表年月日 2007/6/18
資料番号 ED2007-80,SDM2007-85
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 111
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日