講演名 | 2007/6/18 Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) 田部 道晴, ヌルヤディ ラトノ, ブルハヌディン ザイナル, |
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抄録(和) | 我々は、Siデバイスのブレークスルーにとって、3つの要素が重要と考えて研究を進めている。すなわち、単電子の転送制御、単一フォトンおよび単一ドーパントの検出・利用であり、これらは相互に深く関連している。本報告では、単一フォトン検出を中心に、Si多重接合FETを用いた我々の最近の研究結果について述べる。フォトン検出の研究はまだ基礎的段階であるが、従来のアバランシェ・フォトダイオードなどと比べて低電圧動作が可能で、ポストスケーリング技術としての可能性を持っている。 |
抄録(英) | We have studied three research aspects as key technologies for breakthrough in Si devices, i.e., time-controlled transfer of individual electrons, detection of single-photons and single-dopants. In this paper, we will present our recent research results primarily on single-photon detection by multi-junction single-electron- or single-hole-tunneling devices. Although single-photon detection by single-electron devices is in the initial stage of basic research, it may open up a new field in post-scaling technologies, since the required voltage is much smaller than conventional avalanche photodiodes. |
キーワード(和) | Si / 単電子デバイス / 単電子転送 / フォトン検出 / 単一ドーパント |
キーワード(英) | Si / single-electron device / single-electron transfer / single-photon detection / single-dopant |
資料番号 | ED2007-80,SDM2007-85 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | Si単電子FETによるフォトン検出(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Si Single-Electron FETs for Single-Photon Detection |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | Si / Si |
キーワード(2)(和/英) | 単電子デバイス / single-electron device |
キーワード(3)(和/英) | 単電子転送 / single-electron transfer |
キーワード(4)(和/英) | フォトン検出 / single-photon detection |
キーワード(5)(和/英) | 単一ドーパント / single-dopant |
第 1 著者 氏名(和/英) | 田部 道晴 / Michiharu TABE |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | ヌルヤディ ラトノ / Ratno NURYADI |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
第 3 著者 氏名(和/英) | ブルハヌディン ザイナル / Zainal BURHANUDIN |
第 3 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
発表年月日 | 2007/6/18 |
資料番号 | ED2007-80,SDM2007-85 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 111 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |