| 講演名 | 2007/6/18 超高速SiGe HBTに向けたSi/SiGe連続エピタキシャル成長技術(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) 小田 克矢, |
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| 抄録(和) | コールドウォールラピッドサーマルUHV/CVD装置を用いて、異なる伝導型を含んだSi/SiGe多層構造を実現する連続エピタキシャル成長技術を開発した。PドーピングにはSi_2H_6を原料ガスとするLPCVD法を用いることにより、高温の活性化処理を行うことなく結晶性の良好な高濃度PドープSi層を成長することができた。また、超高真空中でウェハを搬送することで表面汚染を抑制し、クリーニングに伴う熱処理の低減によってHBT 構造の結晶性が向上することを高分解能X線回折により確認した。以上の結果から、連続エピタキシャル成長を用いることにより、SiGe HBTの高性能化に必須である高い結晶性とドーピングプロファイルの高精度制御の両立が可能であることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | A continuous-epitaxial-growth technique, using a cold-wall rapid thermal UHV/CVD system, for Si/SiGe multilayers containing different doping types has been developed. Extremely high phosphorous-doping in the silicon layer grown by LPCVD with Si_2H_6 can be achieved without high-temperature activation annealing, and good crystallinity of the Si layer results in very low resistivity. High-temperature surface cleaning prior to the epitaxial growth can be omitted, since contamination occurring during wafer transfer was minimized by using a UHV transfer chamber. Good crystallinity of the HBT structure after the whole fabrication process was confirmed by reciprocal lattice space mapping of high-resolution X-ray diffraction. These results indicate that the developed continuous-epitaxial-growth technique gives a major advantage in maintaining crystal quality of Si/SiGe multi-layers for future ultra-high-speed devices. |
| キーワード(和) | 連続エピタキシャル成長 / ラピッドサーマルUHV/CVD / 結晶性 / SiGe HBT |
| キーワード(英) | Continuous-epitaxial-growth / Rapid thermal UHV/CVD / Crystallinity / SiGe HBT |
| 資料番号 | ED2007-66,SDM2007-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 超高速SiGe HBTに向けたSi/SiGe連続エピタキシャル成長技術(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Si/SiGe Continuous Epitaxial Growth Technology for High-Speed SiGe HBTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 連続エピタキシャル成長 / Continuous-epitaxial-growth |
| キーワード(2)（和/英） | ラピッドサーマルUHV/CVD / Rapid thermal UHV/CVD |
| キーワード(3)（和/英） | 結晶性 / Crystallinity |
| キーワード(4)（和/英） | SiGe HBT / SiGe HBT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小田 克矢 / Katsuya ODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-66,SDM2007-71 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 111 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |