| 講演名 | 2007/6/18 A 24-GHz pHEMT High-Gain Power Amplifier , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A 24-GHz differential power amplifier is designed with 0.25μm pHEMT process. The power amplifier achieved P1dB of 28dBm. The measured linear gain is about 25dB at the 23.1GHz. The chip size is only 1.2×2.1mm^2. Generally, many pHEMT power amplifiers have been reported, which are based on current combining technique. Recently, the voltage combining technique has been presented for power amplifiers with watt-level output power. In this work, a tournament-shaped power combiner is applied to design 24-GHz pHEMT which utilizes the voltage combining technique. We believe that the tournament-shaped power combiner is the solution of mm-wave power amplifier, since one can produce high power with low breakdown voltage devices. We got the higher gain and output power density per chip area than the previous works. This shows the feasibility of the tournament-shaped power combiner for the mm-wave power amplifier successfully. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Compact / mm-wave / pHEMT / Power Amplifier / Power Combiner / Transmission Line Transformer |
| 資料番号 | ED2007-64,SDM2007-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/6/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 24-GHz pHEMT High-Gain Power Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Compact |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Bonhoon KOO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | School of Electrical Engineering and Computer Science, Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2007/6/18 |
| 資料番号 | ED2007-64,SDM2007-69 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 111 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |