講演名 2007/6/18
RF Characteristics for 70nm MOSFETs below 77K
,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英) The RF characteristics of 70nm MOSFETs were measured and analyzed below liquid nitrogen temperature. Significant improvements in DC and RF performance were observed at cryogenic temperature. The transconductance (g_m) has the peak point at 25K due to carrier freeze out effect. The cut-off frequency (f_T) and the maximum oscillation frequency (f_) increase over a temperature range of 4K to 77K as the temperature decreases. A simple small signal sub-circuit model was used to understand the dependence of device parameters with temperature. The improvement in the cut-off frequency below 25K is because the extrinsic capacitance is relatively small at 4K. Results show that the temperature dependence observed for the cut-off frequency and the maximum oscillation frequency is also valid below liquid nitrogen temperature.
キーワード(和)
キーワード(英) Cutoff frequency / maximum oscillation frequency / low temperature / MOSFETs
資料番号 ED2007-55,SDM2007-60
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2007/6/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) RF Characteristics for 70nm MOSFETs below 77K
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Cutoff frequency
第 1 著者 氏名(和/英) / Seung-Ho Hong
第 1 著者 所属(和/英)
Dept. of Electronic and Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology
発表年月日 2007/6/18
資料番号 ED2007-55,SDM2007-60
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 111
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日