| 講演名 | 2007/5/17 Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 永田 大輔, 海老澤 一仁, モラル ダニエル, 田部 道晴, |
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| 抄録(和) | ドーパントイオンが作るランダムなポテンシャル場を利用して単電子特性を得るとともに単電子転送などの機能を持たせることを目的として,研究を行っている.しかし,ドーピングと単電子特性との関係は,ほとんど報告例がない.そのための基礎実験としてドチャネル部にPをカウンタードープした極薄SOI-MOSFETを作製し電気伝導特性を調べた.微細化,高濃度ドープしたチャネル構造のデバイスでは大きなクーロン振動を観測した.この結果からPドーパントが多重トンネル接合の形成に重要な役割を果たしていることを確認した。 |
| 抄録(英) | We have fabricated ultrathin SOI-MOSFETs doped with phosphorus and measured their electrical characteristics. We observed large coulomb blockade oscillations when the device size is decreased and P-dopant density is increased. Furthermore, we also observed different peak ratio of coulomb blockade oscillation for two devices with same channel size but difference doping density. These results indicate that P dopants play an important role on the formation of multiple tunnel junctions. |
| キーワード(和) | クーロンブロッケイド / ドーパントポテンシャル / ランダム多重トンネル接合 / 単電子転送 |
| キーワード(英) | coulomb blockade / dopant potential / random multiple tunnel junctions / single-electron transfer |
| 資料番号 | ED2007-24,CPM2007-23,SDM2007-24 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single-electron-tunneling characteristics of SOI-MOSFETs with ultra thin Si layer doped Phosphorus |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | クーロンブロッケイド / coulomb blockade |
| キーワード(2)（和/英） | ドーパントポテンシャル / dopant potential |
| キーワード(3)（和/英） | ランダム多重トンネル接合 / random multiple tunnel junctions |
| キーワード(4)（和/英） | 単電子転送 / single-electron transfer |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永田 大輔 / Daisuke NAGATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 海老澤 一仁 / Kazuhito EBISAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | モラル ダニエル / Daniel Moraru |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田部 道晴 / Michiharu TABE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-24,CPM2007-23,SDM2007-24 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |