| 講演名 | 2007/5/17 ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 加藤 正史, 三鴨 一輝, 市村 正也, 兼近 将一, 石黒 修, 加地 徹, |
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| 抄録(和) | GaNは大電力半導体素子への応用が期待される半導体材料であり、GaNの大電力素子を作製する上でエッチングプロセスは必要不可欠である.本研究ではGaNに対するプラズマエッチングの影響をショットキーダイオードの電気的測定により評価した.その手法として電流-電圧測定,容量-電圧測定,DLTS測定およびフォトキャパシタンス測定を用いた.その結果,p型GaNとn型GaNのどちらにおいてもプラズマエッチングにより伝導帯から0.25eV付近のエネルギー位置に深い準位が形成されることがわかった.この単位は窒素空孔に起因するものだと考えられ,低いパワーでのエッチングによりこの準位の導入が抑制されることがわかった. |
| 抄録(英) | Gallium Nitride (GaN) is a promising semiconductor material for high-power devices. For realization of the high-power devices, formation of p-type layer and plasma etching process are essential. In this work, we characterize plasma etching effects to p-type GaN using Schottky diodes. We employed current-voltage, capacitance-voltage, deep level transient spectroscopy and photocapacitance measurements. As a result, we observed a deep level located at Ec-0.25 eV in both n-type and p-type GaN. It is considered that this level corresponds to a deep level introduced by nitrogen vacancy and low-power plasma etching is effective to reduce introduction of this level. |
| キーワード(和) | GaN / プラズマエッチング / ショットキーダイオード / DLTS / フォトキャパシタンス |
| キーワード(英) | GaN / plasma etching / Schottky diode / DLTS / photocapacitance |
| 資料番号 | ED2007-23,CPM2007-22,SDM2007-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of plasma etching effects on GaN by electrical measurements of Schottky diodes |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマエッチング / plasma etching |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキーダイオード / Schottky diode |
| キーワード(4)（和/英） | DLTS / DLTS |
| キーワード(5)（和/英） | フォトキャパシタンス / photocapacitance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi KATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三鴨 一輝 / Kazuki MIKAMO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya ICHIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Nagoya Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 兼近 将一 / Masakazu KANECHIKA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Laboratories., Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石黒 修 / Osamu ISHIGURO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Laboratories., Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu KACHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central R&D Laboratories., Inc. |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-23,CPM2007-22,SDM2007-23 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |