| 講演名 | 2007/5/17 フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 伊藤 晃範, 平岡 航, 高橋 崇宏, 江間 義則, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | フラッシュ蒸着法によりGaAs(100)基板上にカルコパイライト型CuInSe_2薄膜をエピタキシャル成長させる条件を調べた。基板温度は420℃とし、CuInSe_2化合物チャンク数100ngを数秒間隔で周期的に供給し、形成された膜をX線回折、AFMなどで調べた。毎秒3オングストローム程度の堆積速度で材料を供給した場合に最良のエピクキシャル膜が得られた。堆積速度が大きい湯合はエピタキシャル膜とはならず、(112)配向膜となった。 |
| 抄録(英) | The conditions for epitaxial growth of CuInSe_2 thin films on GaAs(100) substrate have been investigated. Samples were prepared at 420℃ substrate temperature by feeding ～300ng CuInSe_2 alloy chunks periodically. Best epitaxial film was obtained by feeding chunks for the deposition rate of ～3Å/sec. Excess feeding made a (112)-oriented CuInSe_2 film. |
| キーワード(和) | CuInSe_2 / GaAs / フラッシュ蒸着 / カルコパイライト構造 / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | CuInSe_2 / GaAs / flash evaporation / chalcopyrite-type / epitaxial growth |
| 資料番号 | ED2007-22,CPM2007-21,SDM2007-22 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of CuInSe_2 Thin Films by Flash Evaporation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CuInSe_2 / CuInSe_2 |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | フラッシュ蒸着 / flash evaporation |
| キーワード(4)（和/英） | カルコパイライト構造 / chalcopyrite-type |
| キーワード(5)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 晃範 / Akinori ITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平岡 航 / Wataru HIRAOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 崇宏 / Takahiro TAKAHASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江間 義則 / Yoshinori EMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-22,CPM2007-21,SDM2007-22 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |