| 講演名 | 2007/5/17 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 安達 允彦, 青嶌 剛嗣, 中村 篤志, 天明 二郎, |
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| 抄録(和) | 横型反応管を用いたリモートプラズマ励起青MOCVD(RPE-MOCVD)によるZnO結晶成長をa面サファイア上に行い、膜厚分布に伴う成長モード変化を明らかにした。ZnOのc軸方向に成長しやすいという特徴を利用して自己形成によるZnOナノロッド及びナノワイヤを作製し、基板温度、成長圧力、原料供給比を様々に変化させることで、直径11nmのナノワイヤからRMS7.2nmの薄膜まで表面形状を制御することに成功した。また、ZnO結晶の光学特性の成長温度依存性を、PL測定によって評価した。 |
| 抄録(英) | ZnO layers growth on a-plane sapphire(11-20)substrates by sideflow remote plasma enhanced MOCVD (RPE-MOCVD) was studied. The relation between thickness distribution and growth mode was noticed. We successfully controlled growth from thin layers to nanostructures, by varying growth temperature, pressure and VI/II ratio. The growth temperature dependency of an optical property of the ZnO thin layers was characterized by photoluminescence measurement. |
| キーワード(和) | 横型反応管 / リモートプラズマ励起MOCVD / ナノロッド / ナノワイヤ |
| キーワード(英) | sideflow reaction chamber / remote plasma enhanced MOCVD / nanorods / nanowires |
| 資料番号 | ED2007-21,CPM2007-20,SDM2007-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ZnO thin layers growen by sideflow PRE-MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 横型反応管 / sideflow reaction chamber |
| キーワード(2)（和/英） | リモートプラズマ励起MOCVD / remote plasma enhanced MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | ナノロッド / nanorods |
| キーワード(4)（和/英） | ナノワイヤ / nanowires |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 安達 允彦 / Masahiko ADACHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 青嶌 剛嗣 / Tsuyoshi AOSHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro TEMMYO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-21,CPM2007-20,SDM2007-21 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |