講演名 | 2007/5/17 紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 櫻井 勝俊, 木下 治久, |
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抄録(和) | スーパーマグネトロンプラズマを用いてポリマーライクのa-CN_x:H膜を作製し、大気中における紫外線照射効果を調べた。上下電極に印加する上/下RF電力を1/1W又は5/5Wとし、イソブタンと窒素(i-C_4H_<10>/N_2)を用いて成膜した。波長325nmのHe-Cdレーザーを照射してフォトルミネッセンス(PL)を測定した時、発光輝度が経時変化し、FT-IR吸収スペクトルが変化した。Xeランプを照射するとFT-IR吸収スペクトルが同様に変化した。いずれの場合も、CHの吸収スペクトルが減少しOHとCOの吸収スペクトルが増大した。蛍光X線分析を行うと、紫外線の照射によりO原子濃度は顕著に増大したが、N原子濃度に変化は見られなかった。 |
抄録(英) | Using polymer-like amorphous CN_x:H films deposited by supermagnetron plasma, ultraviolet-light irradiation effects were studied. Upper and lower electrode RF power (UPRF/LORF) was selected to 1/1 W or 5/5 W, and films were deposited using i-C_4H_<10>/N_2 plasma. Under exposure of 325 nm He-Cd laser, photoluminescence (PL) intensity was decreased and FT-IR absorbance spectrum was changed. Similar changes of FT-IR spectra were observed under Xe lamp exposure. In both cases, decrease of CH peal intensity and increase of OH and CO peak intensities were observed. By x-ray fluorescence spectroscopy (XFS) analysis, increase of O atom density and no change of N atom density were observed under UV light exposure. |
キーワード(和) | a-CN_x:H / フォトルミネッセンス / FT-IR / 紫外線 / 酸化 |
キーワード(英) | a-CN_x:H / photoluminescence / FT-IR / ultraviolet light / oxidation |
資料番号 | ED2007-19,CPM2007-18,SDM2007-19 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Oxidation of a-CN_x:HF Films in Air by Ultraviolet Light Irradiation |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | a-CN_x:H / a-CN_x:H |
キーワード(2)(和/英) | フォトルミネッセンス / photoluminescence |
キーワード(3)(和/英) | FT-IR / FT-IR |
キーワード(4)(和/英) | 紫外線 / ultraviolet light |
キーワード(5)(和/英) | 酸化 / oxidation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 櫻井 勝俊 / Katsutoshi SAKURAI |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学大学院電子科学研究科 Graduate School of Electronic Sciende and Technology, Shizuoka University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 木下 治久 / Haruhisa KINOSHITA |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
発表年月日 | 2007/5/17 |
資料番号 | ED2007-19,CPM2007-18,SDM2007-19 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 56 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |