講演名 2007/5/17
紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
櫻井 勝俊, 木下 治久,
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抄録(和) スーパーマグネトロンプラズマを用いてポリマーライクのa-CN_x:H膜を作製し、大気中における紫外線照射効果を調べた。上下電極に印加する上/下RF電力を1/1W又は5/5Wとし、イソブタンと窒素(i-C_4H_<10>/N_2)を用いて成膜した。波長325nmのHe-Cdレーザーを照射してフォトルミネッセンス(PL)を測定した時、発光輝度が経時変化し、FT-IR吸収スペクトルが変化した。Xeランプを照射するとFT-IR吸収スペクトルが同様に変化した。いずれの場合も、CHの吸収スペクトルが減少しOHとCOの吸収スペクトルが増大した。蛍光X線分析を行うと、紫外線の照射によりO原子濃度は顕著に増大したが、N原子濃度に変化は見られなかった。
抄録(英) Using polymer-like amorphous CN_x:H films deposited by supermagnetron plasma, ultraviolet-light irradiation effects were studied. Upper and lower electrode RF power (UPRF/LORF) was selected to 1/1 W or 5/5 W, and films were deposited using i-C_4H_<10>/N_2 plasma. Under exposure of 325 nm He-Cd laser, photoluminescence (PL) intensity was decreased and FT-IR absorbance spectrum was changed. Similar changes of FT-IR spectra were observed under Xe lamp exposure. In both cases, decrease of CH peal intensity and increase of OH and CO peak intensities were observed. By x-ray fluorescence spectroscopy (XFS) analysis, increase of O atom density and no change of N atom density were observed under UV light exposure.
キーワード(和) a-CN_x:H / フォトルミネッセンス / FT-IR / 紫外線 / 酸化
キーワード(英) a-CN_x:H / photoluminescence / FT-IR / ultraviolet light / oxidation
資料番号 ED2007-19,CPM2007-18,SDM2007-19
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2007/5/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Oxidation of a-CN_x:HF Films in Air by Ultraviolet Light Irradiation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) a-CN_x:H / a-CN_x:H
キーワード(2)(和/英) フォトルミネッセンス / photoluminescence
キーワード(3)(和/英) FT-IR / FT-IR
キーワード(4)(和/英) 紫外線 / ultraviolet light
キーワード(5)(和/英) 酸化 / oxidation
第 1 著者 氏名(和/英) 櫻井 勝俊 / Katsutoshi SAKURAI
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学大学院電子科学研究科
Graduate School of Electronic Sciende and Technology, Shizuoka University
第 2 著者 氏名(和/英) 木下 治久 / Haruhisa KINOSHITA
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学電子工学研究所
Research Institute of Electronics, Shizuoka University
発表年月日 2007/5/17
資料番号 ED2007-19,CPM2007-18,SDM2007-19
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日