| 講演名 | 2007/5/17 ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 大橋 俊哉, 山本 兼司, 坪井 貴子, ガンジル サンディップ, 中村 篤志, 天明 二郎, |
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| 抄録(和) | 酸化亜鉛ZnO(ウルツ鉱構造)はバンドギャップ3.3eVをもつワイドギャップ半導体であり、60meVの励起子結合エネルギーを持つため室温において高効率な励起子発光が期待できる紫外発光材料である。これまでにZnO系半導体におけるEgを1.8eV～3.7eVまで制御し、その屈折率2.8～1.9 at 1.96eVと波長分散を明確化した。今回は活性層となるZn_<1-x>Cd_xO薄膜の高品質化とZnO系DH構造からEL半値幅の改善を目指し、ZnO系DH接合の成長とEL発光評価を行った。 |
| 抄録(英) | ZnO has a direct band gap energy of 3.3 eV and ZnO is expected to high efficiency excitonic emission at room temperature because excitonic binding energy of ZnO is larger than thermal energy of RT. We have suceesfully controlled band gap energy from 1.8 eV to 3.7 eV with ZnO based alloy films. Moreover, we have analized variation of refractive indices from 2.8 to 1.9 and clarified their dispersion. In this study, we tried high quarity ZnCdO film growth and improvement of EL FWHM from ZnO-based DH junction. |
| キーワード(和) | ZnO系DH接合 / EL半値幅 / Zn_<1-x>Cd_xO / Mg_yZn_<1-y>O / 屈折率 / バンドギャップエネルギー |
| キーワード(英) | ZnO-based DH junction / EL FWHM / Zn_<1-x>Cd_xO / Mg_yZn_<1-y>O / refractive index / band gap energy |
| 資料番号 | ED2007-17,CPM2007-16,SDM2007-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of ZnO-based DH junction and EL emission evaluation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO系DH接合 / ZnO-based DH junction |
| キーワード(2)（和/英） | EL半値幅 / EL FWHM |
| キーワード(3)（和/英） | Zn_<1-x>Cd_xO / Zn_<1-x>Cd_xO |
| キーワード(4)（和/英） | Mg_yZn_<1-y>O / Mg_yZn_<1-y>O |
| キーワード(5)（和/英） | 屈折率 / refractive index |
| キーワード(6)（和/英） | バンドギャップエネルギー / band gap energy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大橋 俊哉 / Toshiya OHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 兼司 / Kenji YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学創造科学技術大学院 Graduate School of Science and Technology, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坪井 貴子 / Takako TSUBOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ガンジル サンディップ / Sandip GANJIL |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro TEMMYO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-17,CPM2007-16,SDM2007-17 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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