| 講演名 | 2007/5/17 Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 宇木 大輔, 山口 岳宏, 田中 雄太, 渕 真悟, 宇治原 徹, 竹田 美和, |
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| 抄録(和) | 我々はEr,O共添加GaAsへの1.5μm帯における電流注入によるレーザ発振を目指している。しかし、現状ではErからの1.5μm帯の発光は非常に弱い。その原因の一つとして、活性層に用いるEr,O添加GaAsにおけるキャリアの拡散長が短いため、発光再結合が効率よく行われていないことが考えられる。そこで、光ガイド層をそのままに活性層厚をキャリアの拡散長程度まで薄くした分離閉じ込め構造により発光強度増大を試みた。その結果、発光強度が約3倍増大した。 |
| 抄録(英) | We aim for laser oscillation of Er, O-codoped GaAs at 1.5μm by current injection. However, the electroluminescence(EL) from Er is weak. As one of the main causes, we considered radiative recombination is not efficient because of short diffusion lengths of carrier in Er, O-codoped GaAs. In this study, we attempted to enhance EL intensity by fabricating separate confinement structure with Er, O-codoped GaAs. In this structure, the thickness of Er, O-codoped GaAs layer is of about carrier diffusion lengths in order to make radiative recombination efficient maintaining the thickness of GaAs optical guide layer. As a result, we obtained by three times higher EL intensity from the separate confinement structure. |
| キーワード(和) | エルビウム / エレクトロルミネッセンス / GaAs / GaInP / 分離閉じ込め構造 |
| キーワード(英) | Erbium / Electroluminescence / GaAs / GaInP / Separate Confinement Structure |
| 資料番号 | ED2007-14,CPM2007-13,SDM2007-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Enhancement of 1.5μm electroluminescence by separate confinement structure with Er, O-codoped GaAs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エルビウム / Erbium |
| キーワード(2)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / Electroluminescence |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | GaInP / GaInP |
| キーワード(5)（和/英） | 分離閉じ込め構造 / Separate Confinement Structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宇木 大輔 / Daisuke UKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山口 岳宏 / Takehiro YAMAGUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 雄太 / Yuta TANAKA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 渕 真悟 / Shingo FUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宇治原 徹 / Toru UJIHARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 竹田 美和 / Yoshikazu TAKEDA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻 Department of Crystalline Materials Science, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-14,CPM2007-13,SDM2007-14 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |