| 講演名 | 2007/5/17 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 林 隆雄, 中村 篤志, 天明 二郎, アルバロ ナバーロ トーバー, エリアス ムニョス メリノ, |
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| 抄録(和) | リモートプラズマ励起MOCVD法によりZnO薄膜を成長した。II族原料としてDEZn,VI族原料として酸素ガスを用い、酸素ガスの流量を変化させることによりVI/IIを制御した。VI/IIが小さい場合、ZnO薄膜の表面モホロジーはロッドライクになっているが、VI/IIを大きくすることにより滑らかな表面に変化した。また、VI/IIを変化させることにより、ZnO薄膜のキャリア濃度を5E+18cm^<-3>から5E+17cm^<-3>まで低減した。Mg_xZn_<1-x>O UVディテクタを作製し、評価を行った。Mg_xZn_<1-x>O UVディテクタから優れたカットオフ特性が得られ、波長370nmから350nmまで変化した。 |
| 抄録(英) | ZnO thin films were grown by remote plasma enhanced MOCVD. Diethyl zinc (DEZn) were used as group-II source. Oxygen gas were used as group-VI source, and VI/II ratio was controlled by varying flowing quantity of oxygen gas. The surface morphology of ZnO thin film is shape like the rod when VI/II ratio is small. It has changed into a smooth surface by increasing VI/II ratio. And the carrier concentration of ZnO thin film has been decreased from 5E+18 cm^<-3> to 5E+17 cm^<-3> by changing VI/II ratio. Mg_xZn_<1-x>O UV detectors were fabricated and evaluated. An excellent cutoff characteristic was obtained form Mg_xZn_<1-x>O UV detectors, and wavelength has changed from 370 nm to 350 nm. |
| キーワード(和) | 高品質ZnO薄膜 / UVディテクタ / VI/II / 表面モホロジー / キャリア濃度 |
| キーワード(英) | high quality ZnO film / UV detector / VI/II ratio / surface morphology / carrier concentration |
| 資料番号 | ED2007-12,CPM2007-11,SDM2007-12 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of high quality ZnO film and application for UV detector |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高品質ZnO薄膜 / high quality ZnO film |
| キーワード(2)（和/英） | UVディテクタ / UV detector |
| キーワード(3)（和/英） | VI/II / VI/II ratio |
| キーワード(4)（和/英） | 表面モホロジー / surface morphology |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア濃度 / carrier concentration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 林 隆雄 / Takao HAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reseach Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中村 篤志 / Atsushi NAKAMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reseach Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 天明 二郎 / Jiro TEMMYO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Reseach Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | アルバロ ナバーロ トーバー / Nabarro Tober Alvaro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | マドリッド工科大学ISOM ISOM, Universidad Politecnica de Madrid |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | エリアス ムニョス メリノ / Munoz Merino Elias |
| 第 5 著者 所属（和/英） | マドリッド工科大学ISOM ISOM, Universidad Politecnica de Madrid |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-12,CPM2007-11,SDM2007-12 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 56 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |