講演名 | 2007/5/17 MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 大村 翔洋, 中村 公二, 田中 龍一, 安形 保則, ニラウラ マダン, 安田 和人, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | MOVPE法によりSi基板上に成長した厚膜CdTe成長層を用いた大面積X線γ線画像検出器の開発を目的として研究を行っている。これまでの研究で,Si基板に成長前処理として減圧水素雰囲気中で,GaAs片とともにアニールする事で,単結晶CdTe層が得られることが分かっている。しかし,成長層の膜厚が50μmを超えると剥離する問題があった。そこで,成長前処理の最適化,成長法の改善を行った結果,上記の問題を解決し結晶性の良い厚膜CdTe成長堀(100μm以上)が得られるようになったため報告する。 |
抄録(英) | MOVPE growth of thick CdTe layers for the application in x-ray, γ-ray detectors has been studied. As reported earlier we reported, pretreatment of Si-substrate, carried out by annealing it with pieces of GaAs, was necessary for achieving direct growth of CdTe layers on Si. However, thicker epilayer(>50μm) exhibited poor substrate adhesion. By optimizing substrate pre-treatment condition, and with careful control of growth parameter, high quality thick epilayer of thickness greater then 100μm were achieved, and are reported here. |
キーワード(和) | MOVPE / X線γ線検出器 / 厚膜CdTe / Si基板 |
キーワード(英) | MOVPE / X- and γ-ray detector / thick CdTe layers / Si substrate |
資料番号 | ED2007-10,CPM2007-9,SDM2007-10 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
---|---|
開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Development of large-area X-ray and γ-ray imaging detectors using thick CdTe layer grown by MOVPE(I) |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | MOVPE / MOVPE |
キーワード(2)(和/英) | X線γ線検出器 / X- and γ-ray detector |
キーワード(3)(和/英) | 厚膜CdTe / thick CdTe layers |
キーワード(4)(和/英) | Si基板 / Si substrate |
第 1 著者 氏名(和/英) | 大村 翔洋 / Motohiro Omura |
第 1 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 中村 公二 / Koji Nakamura |
第 2 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 田中 龍一 / Ryuichi Tanaka |
第 3 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 安形 保則 / Yasunori Agata |
第 4 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | ニラウラ マダン / Madan Niraula |
第 5 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda |
第 6 著者 所属(和/英) | 名古屋工業大学機能工学専攻 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology |
発表年月日 | 2007/5/17 |
資料番号 | ED2007-10,CPM2007-9,SDM2007-10 |
巻番号(vol) | vol.107 |
号番号(no) | 56 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |