講演名 2007/5/17
MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
大村 翔洋, 中村 公二, 田中 龍一, 安形 保則, ニラウラ マダン, 安田 和人,
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抄録(和) MOVPE法によりSi基板上に成長した厚膜CdTe成長層を用いた大面積X線γ線画像検出器の開発を目的として研究を行っている。これまでの研究で,Si基板に成長前処理として減圧水素雰囲気中で,GaAs片とともにアニールする事で,単結晶CdTe層が得られることが分かっている。しかし,成長層の膜厚が50μmを超えると剥離する問題があった。そこで,成長前処理の最適化,成長法の改善を行った結果,上記の問題を解決し結晶性の良い厚膜CdTe成長堀(100μm以上)が得られるようになったため報告する。
抄録(英) MOVPE growth of thick CdTe layers for the application in x-ray, γ-ray detectors has been studied. As reported earlier we reported, pretreatment of Si-substrate, carried out by annealing it with pieces of GaAs, was necessary for achieving direct growth of CdTe layers on Si. However, thicker epilayer(>50μm) exhibited poor substrate adhesion. By optimizing substrate pre-treatment condition, and with careful control of growth parameter, high quality thick epilayer of thickness greater then 100μm were achieved, and are reported here.
キーワード(和) MOVPE / X線γ線検出器 / 厚膜CdTe / Si基板
キーワード(英) MOVPE / X- and γ-ray detector / thick CdTe layers / Si substrate
資料番号 ED2007-10,CPM2007-9,SDM2007-10
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2007/5/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
サブタイトル(和)
タイトル(英) Development of large-area X-ray and γ-ray imaging detectors using thick CdTe layer grown by MOVPE(I)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOVPE / MOVPE
キーワード(2)(和/英) X線γ線検出器 / X- and γ-ray detector
キーワード(3)(和/英) 厚膜CdTe / thick CdTe layers
キーワード(4)(和/英) Si基板 / Si substrate
第 1 著者 氏名(和/英) 大村 翔洋 / Motohiro Omura
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 中村 公二 / Koji Nakamura
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 田中 龍一 / Ryuichi Tanaka
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 安形 保則 / Yasunori Agata
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) ニラウラ マダン / Madan Niraula
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 安田 和人 / Kazuhito Yasuda
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋工業大学機能工学専攻
Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics, Graduate School of Engineering Nagoya Institute of Technology
発表年月日 2007/5/17
資料番号 ED2007-10,CPM2007-9,SDM2007-10
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 56
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日