| 講演名 | 2007/5/17 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) 福島 圭亮, 加藤 正史, 市村 正也, 兼近 将一, 石黒 修, 加地 徹, |
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| 抄録(和) | 窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチング工程は不可欠である.GaNのエッチング技術としてプラズマエッチングの1つであるICP(Inductively coupled plasma)エッチングは有効であるが,試料表面にダメージ層を形成することがわかっている.本研究ではICPエッチング処理を施したGaNに対し,マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法により過剰キャリアライフタイムを測定した.減衰曲線の温度依存特性を測定することでICPエッチングダメージが導入する欠陥準位の特性を評価した.そしてICPエッチング処理を施したGaNにアニール処理をし,アニール温度による過剰キャリアライフタイムの変化を観測することでアニールの効果を議論した. |
| 抄録(英) | Gallium (GaN) is promising for high power and high frequency devices, and the etching processes is necessary in bipolar device fabrication. Inductively coupled plasma (ICP) etching is one of the plasma etching techniques which also forms a damage layer on the sample surface. In this work, we have measured the excess carrier lifetime in ICP etched GaN with the microwave photoconductivity decay (μ-PCD) method. We analyzed levels introduced by ICP etching by measuring temperature dependence of the decay curves. We annealed ICP etched GaN, and discussed effects of annealing on the etching damage by observing the change of the excess carrier lifetime. |
| キーワード(和) | 窒化ガリウム / キャリアライフタイム / μ-PCD法 / ICP / 減衰曲線 / 温度依存 / アニール |
| キーワード(英) | Gallium nitride / carrier lifetime / μ-PCD method / ICP / decay curve / temperature dependence / annealing |
| 資料番号 | ED2007-13,CPM2007-12,SDM2007-13 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2007/5/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of plasma etching damages and characterization of annealing effects on GaN by excess carrier measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ガリウム / Gallium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | キャリアライフタイム / carrier lifetime |
| キーワード(3)（和/英） | μ-PCD法 / μ-PCD method |
| キーワード(4)（和/英） | ICP / ICP |
| キーワード(5)（和/英） | 減衰曲線 / decay curve |
| キーワード(6)（和/英） | 温度依存 / temperature dependence |
| キーワード(7)（和/英） | アニール / annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福島 圭亮 / Keisuke Fukushima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 加藤 正史 / Masashi Kato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / Masaya Ichimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 兼近 将一 / Masakazu Kanechika |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Labs.,Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石黒 修 / Osamu Ishiguro |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Labs.,Inc. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 加地 徹 / Tetsu Kachi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊田中央研究所 Toyota Central Labs.,Inc. |
| 発表年月日 | 2007/5/17 |
| 資料番号 | ED2007-13,CPM2007-12,SDM2007-13 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 55 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |