| 講演名 | 2007-05-18 ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源(有機材料・一般) 大橋 昇, 冨井 弘, 松原 亮介, 中村 雅一, 酒井 正俊, 工藤 一浩, |
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| 抄録(和) | 多結晶ペンタセン薄膜トランジスタを線形領域で動作させ、原子間力顕微鏡ポテンショメトリを用いて表面形状と動作中の表面電位分布を測定した。得られた表面像から結晶ドメイン内の分子テラスが現れた平坦部を判別し、そのような領域において表面形状に依存しない電位揺らぎが存在していることを初めて明らかにした。この電位揺らぎは、チャネル導定率に揺らぎがあることを示すものである。そこでこの電位揺らぎの起源について険討を行ったところ、価電子帯上端のエネルギーに揺らぎがあるため局所キャリア密度が変動していると仮定したモデルにより分布が無理なく説明できることが明らかになった。このときの揺らぎの半値全幅は12meVであり、この揺らぎが結晶ドメイン内でのキャリアの平均走行速度を低下させているものと思われる。 |
| 抄録(英) | Surface topography and potential distribution of a thin-film transistor (TFT) with a poly-crystalline pentacene active layer have been measured using atomic-force-microscope potentiometry. Flat areas showing molecular terraces were identified from the topographic images, and potential fluctuation independent of topographic features was found for the first time in the flat areas. This implies the existence of channel-conductance fluctuation even in a crystalline domain in a pentacene TFT. A considerable origin of the potential fluctuation was concluded to be fluctuation of the top level of valence band, which results in the variation of local carrier concentration. The full width at half maximum of the band fluctuation was estimated to be 12 meV. This might reduce the mean carrier drift velocity in crystalline domains. |
| キーワード(和) | ペンタセン / 薄膜トランジスタ(TFT) / 原子間力顕微鏡ポテンショメトリ / 有効質量 / バンド揺らぎ |
| キーワード(英) | Pentacene / Thin Film Transistor (TFT) / Atomic Force Microscope Potentiometry / Effective Mass / Band Fluctuation |
| 資料番号 | OME2007-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2007/5/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ペンタセンTFTの結晶ドメイン内に生じる電位揺らぎとその起源(有機材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Potential Fluctuation and its Origin in Crystalline Domain of Pentacene Thin-Film Transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ペンタセン / Pentacene |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ(TFT) / Thin Film Transistor (TFT) |
| キーワード(3)（和/英） | 原子間力顕微鏡ポテンショメトリ / Atomic Force Microscope Potentiometry |
| キーワード(4)（和/英） | 有効質量 / Effective Mass |
| キーワード(5)（和/英） | バンド揺らぎ / Band Fluctuation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大橋 昇 / Noboru Ohashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 冨井 弘 / Hiroshi Tomii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松原 亮介 / Ryousuke Matsubara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中村 雅一 / Masakazu Nakamura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 酒井 正俊 / Masatoshi Sakai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Chiba University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 千葉大学工学部電子機械工学科 Department of Electronics and Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Chiba University |
| 発表年月日 | 2007-05-18 |
| 資料番号 | OME2007-10 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |