講演名 2007-05-25
Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
飯山 宏一, 浅井 覚詞, 若島 誠寛,
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抄録(和) Si細線光導波炉の伝播損失低減を目指して、選択酸化法による作製と評価について報告する。Si細線光導波路は通常、クラッドとなる部分のSiをエッチングすることにより形成されるが、本方法は、コアとなる部分のSi上部に酸化防止膜を形成し、クラッドとなる部分のSiのみ選択的に酸化する。酸化は等方的であるので、酸化防止膜のパターニング側面の荒れの影響は緩和され、伝搬損失の低減が期待できる。幅3μmの酸化防止膜を用いて多モード光導波路を作製したところ、エッチングにより作製された同じ幅の光導波路と比べて4dBの伝搬損失の低減が確認できた。
抄録(英) Si photonic wire waveguides are fabricated by selective oxidation of Si. A SOI wafer on which a 3 μm-wide Si_3N_4 film is formed is oxidized. The Si under the Si_3N_4 film is not oxidized and works as a core, and the Si without the Si_3N_4 film is oxidized and works as a clad. The roughness at the core/clad interface is smoothed while the oxidation process, and then the propagation loss is reduced. The resultant waveguide is multimode, and the propagation loss is decreased by 4 dB as compared to the conventional fabrication process.
キーワード(和) 光導波路 / Si細線光導波路 / 選択酸化 / 伝搬損失
キーワード(英) Optical waveguide / Si photonic wire waveguide / Selective oxidation / Propagation loss
資料番号 LQE2007-15
発行日

研究会情報
研究会 LQE
開催期間 2007/5/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Lasers and Quantum Electronics (LQE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Siの選択酸化プロセスを用いたSi細線光導波路の作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of Si Photonic Wire Waveguide by Selective Oxidation of Si
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 光導波路 / Optical waveguide
キーワード(2)(和/英) Si細線光導波路 / Si photonic wire waveguide
キーワード(3)(和/英) 選択酸化 / Selective oxidation
キーワード(4)(和/英) 伝搬損失 / Propagation loss
第 1 著者 氏名(和/英) 飯山 宏一 / Koichi IIYAMA
第 1 著者 所属(和/英) 金沢大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Natural Science & Technology, Kanazawa Univserity
第 2 著者 氏名(和/英) 浅井 覚詞 / Satoshi ASAI
第 2 著者 所属(和/英) 金沢大学大学院自然科学研究科
Graduate School of Natural Science & Technology, Kanazawa Univserity
第 3 著者 氏名(和/英) 若島 誠寛 / Masahiro WAKASHIMA
第 3 著者 所属(和/英) 金沢大学大学院
Faculty of Engineering, Kanazawa Univserity
発表年月日 2007-05-25
資料番号 LQE2007-15
巻番号(vol) vol.107
号番号(no) 71
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日