| 講演名 | 2007/2/22 IGBTに至るまでのパワーデバイス開発概史 : この30年間のパワーデバイス動作モデルの進歩(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて) 高田 育紀, |
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| 抄録(和) | この30年間余りのパワーデバイスの発展を、著者のデバイス動作モデルの変遷の経験から紹介する。著者はトランジスタ(BJT)の理解に10年、サイリスタの理解に20年、pinダイオードの理解に30年かかった。未だに耐圧の決定機構やキャリアの再結合-対発生現象は不可解である。しかしながら、理解できた範囲のパワーデバイスの動作機構は極めて単純であった。一見困難に思えたのは、的を得たモデルがないことが原因であった。現在、pinダイオードの宇宙線による破壊とかリカバリ動作時の破壊が不可解とされているが、これらも適切なモデルが欠落している可能性が高いと思う。 |
| 抄録(英) | The author would like to introduce the developing history of the operation models of power devices in the past thirty years on his individual point of view. It had taken 10, 20 and 30 years for him to understand the transistor (BJT), the thyristor and the pin-diode respectively. Even now, he is incomprehensible on mechanisms of the avalanche breakdown and the recombination/generation of carriers. Nevertheless, other resolved mechanisms were very simple and each difficulty had been caused by the lack of a suitable model. Today's incomprehensible problems, such destructions that are caused by the cosmic-ray or recovery operations, might be understood by finding a new adequate physical model, the author supposes. |
| キーワード(和) | パワーデバイス / デバイス動作モデル / pinダイオード / バイポーラトランジスタ / サイリスタ / IGBT |
| キーワード(英) | Power Devices / Device Models / pin Diode / Bipolar Transistor / Thyristor / IGBT |
| 資料番号 | ED2006-263 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2007/2/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | IGBTに至るまでのパワーデバイス開発概史 : この30年間のパワーデバイス動作モデルの進歩(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Developing History of Power Devices toward IGBTs : The Progress of Power Device Operation Models in the Past Thirty Years |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パワーデバイス / Power Devices |
| キーワード(2)（和/英） | デバイス動作モデル / Device Models |
| キーワード(3)（和/英） | pinダイオード / pin Diode |
| キーワード(4)（和/英） | バイポーラトランジスタ / Bipolar Transistor |
| キーワード(5)（和/英） | サイリスタ / Thyristor |
| キーワード(6)（和/英） | IGBT / IGBT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高田 育紀 / Ikunori Takata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 先端技術総合研究所 Advanced Technology R&D Center. Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 2007/2/22 |
| 資料番号 | ED2006-263 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 544 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |